有色金屬失效分析技術理論與應用

對柵氧化層進行失效分析的方法 772     

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為了解決現有技術中失效晶片檢測過程極為復雜、檢測周期相對較長、容易產生失敗檢測結果、檢測成本較高等一系列問題,本發明提供一種對柵氧化層進行失效分析的方法,包括:用熱凝膠將失效晶片倒貼在基片上,所述失效晶片包括襯底及襯底上的柵氧化層;將所述失效晶片的襯底研磨至一定厚度或全部去除所述襯底;用堿性溶液浸泡所述晶片表面;對所述失效晶片進行觀測,所述控制柵有損壞時,所述柵氧化層有缺陷;所述控制柵沒有損壞時,所述柵氧化層完好。本發明的失效晶片檢測方法簡單、用時較短、不易失敗、成本較低。

客車冷卻系統失效分析方法及系統 1005     

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本發明提供了一種客車冷卻系統失效分析方法及系統，屬于客車技術領域，客車冷卻系統失效分析方法，S1:通過流量檢測裝置和溫度檢測裝置，檢測預設流量檢測點冷卻液的流量、預設溫度檢測點冷卻液的溫度；S2：將冷卻液的流量與預設流量范圍比較，將冷卻液的溫度與預設溫度范圍比較，分析冷卻系統的失效方式。本發明具有檢測方法簡單合理，有效確保冷卻系統正常工作，提高工作部件的使用壽命的優點。

基于高溫光發射顯微分析技術的失效點定位方法 1141     

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本發明提供一種基于高溫光發射顯微分析技術的失效點定位方法，屬于失效分析技術領域，包括：提供一具有承載平臺的加熱裝置、一溫度監測裝置、一電壓激勵源以及一檢測組件，將測試樣品放置于承載平臺上，并將電壓激勵源連接測試樣品；通過加熱裝置將測試樣品加熱到預定溫度，溫度監測裝置提供給測試者監測測試樣品的實時溫度，在實時溫度到達預定溫度時通過電壓激勵源向測試樣品施加預定數值的電壓激勵，通過檢測組件進行基于光發射顯微分析技術的檢測操作得到失效點的定位信息。本發明的有益效果：定位處于高溫狀態下的測試樣品的漏電失效點，以找到失效原因，提升經濟效益。

失效分析標準流程調整方法及系統 1010     

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本發明涉及一種失效分析標準流程調整方法及系統，屬于失效分析技術領域，解決了現有失效分析標準流程無法動態調整和生成問題。包括基于歷史維修記錄獲取故障點的良率，通過聚類分析故障點的良率，得到故障點中的正常點，統計正常點的故障發生概率；基于失效分析知識圖譜，將正常點的故障發生概率作為相應檢測步驟實體的故障發生概率；根據檢測步驟實體及實體間的關系，獲取各檢測流程下具有順序的檢測步驟，作為初始步驟集合；根據檢測步驟實體的故障發生概率，對初始步驟集合中的檢測步驟順序進行調整，根據調整后的初始步驟集合，得到各檢測流程下調整后的失效分析檢測流程。實現了失效分析標準流程的動態調整。

軸承失效分析方法 927     

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本發明涉及一種軸承失效分析方法，包括以下步驟：步驟1、查看和分析失效軸承或實驗后的樣品軸承；步驟2、對軸承精度進行檢測；步驟3、查看和分析軸承內部油脂的狀況；步驟4、查看和分析失效軸承或實驗后的樣品軸承內外圈溝道、鋼球、保持架的表面狀況；步驟5、測試和分析失效軸承或實驗后的樣品軸承內外圈溝道圓度；步驟6、材料分析；步驟7、匯總整理并下結論。本發明根據軸承逆向分析流程，通過這一流程進行分析，掌握分析要點，直達根本原因所在，找到軸承失效的根本原因。

塑料結構件失效原因的分析方法及裝置 788     

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本發明公開了一種塑料結構件失效原因的分析方法及裝置，所述方法包括：先獲取待檢測對象的樣品數據，再根據樣品數據判斷所述待檢測對象是否需要執行內應力分析：若是，則對待檢測對象執行形貌分析、成分分析和內應力分析；否則對待檢測對象執行形貌分析和成分分析，最后根據上述各分析結果，生成綜合分析結果。采用本發明實施例提出的分析方法步驟詳盡、重現性高，且通過采用多種分析方法對塑料結構件進行分析，提高了塑料結構件失效原因的分析結果的準確度。

半導體器件的失效分析方法及其設備 925     

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本發明揭示了一種半導體器件的失效分析方法及其設備，該方法包括以下步驟：S1：對半導體器件進行失效位置分析確認失效信息；S2：確認目標位置的觀測對象包括單個對象還是多個對象；S3：如確定觀測對象包括單個對象，則檢測單個對象的X和Y方向邊界尺寸和方向；S4：如確定觀測對象包括多個對象確認觀測單個對象，檢測單個對象的X和Y方向邊界尺寸和方向；選擇對應單個對象的電路布局圖，根據檢測到的邊界尺寸和方向，對單個對象的觀測畫面與其電路布局圖進行匹配，使單個對象在觀測畫面上各個組件與其電路布局圖上的位置一一對應。該方法可將觀測畫面的位置與實際電路布局圖上的位置匹配，快速找到觀測對象目標，提高了失效分析效率。

用于電力設備失效分析的專家系統及方法 886     

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本申請公開一種用于電力設備失效分析的專家系統及方法，專家系統包括：用戶端、AI專家及人類專家端；人類專家端包括多個各領域的人類專家；用戶端用于發送電力設備的視頻、圖像及數據信息至AI專家；AI專家用于對用戶端傳輸的視頻、圖像及數據信息進行算法識別及分析；用戶端補充并修正數據資料，同時根據AI專家的需求取樣，將失效樣品標識及送檢，人類專家端用于對送檢的失效樣品檢測及分析；AI專家用于根據算法識別及分析的數據或人類專家檢測分析的數據給出分析結果；用戶端用于根據分析結果對失效電力設備缺陷處理。采用的方案能夠有效的解決電力設備失效分析工作中運維人員技術能力不足、失效分析多專業融合難度大及網絡傳輸質量差等問題。

二次電池電芯的失效分析方法 764     

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本申請涉及二次電池電芯的失效分析方法。根據一實施例，一種二次電池電芯的失效分析方法包括：獲取失效電芯的失效背景信息；對所述失效電芯進行外觀檢查以獲取其外觀信息；對所述失效電芯進行無損檢測以獲取其電化學信息和結構信息；對所述失效電芯進行拆解，并且記錄拆解過程；對拆解后獲得的所述失效電芯的內部元件進行預處理和取樣；以及對所述內部元件的樣品進行測試，并且將測試結果與參考電芯的測試結果相比較，以確定關于失效原因的初步結論。利用本發明的方法，能夠系統全面地了解二次電池電芯的失效原因和機理，提高失效分析人員的效率和水平，同時積累失效分析數據庫，對本行業的長遠發展提供幫助。

存儲芯片位線失效分析方法 1053     

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本發明提供一種存儲器芯片位線失效分析方法,用以對包含埋入式位線及金屬位線結構的存儲器芯片進行位線失效分析,每條所述埋入式位線與相應的所述金屬位線之間通過多個位線接觸窗相連,所述方法包括以下步驟:去除所述存儲芯片的金屬位線之上的鈍化層、互連金屬層及層間介質層,暴露出所述金屬位線;通過電測試確定存儲芯片上相互之間存在短路的兩條金屬位線,逐段切割其中的一條金屬位線,使得該金屬位線中連接于相鄰位線接觸窗的部分之間均被割斷;去除存儲芯片的襯底及包含在襯底內的埋入式位線,形成檢測樣片;對所述檢測樣片進行電勢對比成像觀測,確定所述短路金屬位線的具體失效位置。

失效分析標準流程生成方法及系統 756     

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本發明涉及一種失效分析標準流程生成方法及系統，屬于失效分析技術領域，解決了現有無法自動生成失效分析標準流程的問題。包括：構建失效分析知識圖譜，基于失效分析知識圖譜，構建新零件的物理結構類和故障現象類實體及其屬性和關系，根據實體相似度，建立新零件與舊零件的實體對齊關系；依次取出新零件的故障現象類的檢測項目實體，根據實體對齊關系，獲取當前檢測項目實體對應的舊零件的檢測項目實體，根據舊零件的檢測項目實體關聯的物理結構類和檢測流程類實體，構建新零件當前檢測項目實體關聯的檢測流程類實體及其屬性和關系；根據新零件的檢測流程類實體及其屬性和關系，生成失效分析標準流程。實現了失效分析標準流程的自動化和標準化。

存儲器芯片位線失效分析方法 1115     

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本發明提供一種存儲器芯片位線失效分析方法,包括以下步驟:通過機械研磨去除待分析芯片的互連金屬層和位線層的大部分;通過機械研磨去除待分析芯片的襯底的大部分;通過濕法刻蝕完全去除待分析芯片的殘存的襯底;通過干法刻蝕去除待分析芯片位線接觸窗底部的介質層的大部分,保留一薄層的介質層;對待分析芯片的位線接觸窗的頂部進行檢測,確定位線失效的具體位置。本發明方法可使待分析芯片充分減薄,可直接通過電子顯微鏡進行觀測確定其位線短路失效的具體位置,大大提高了工作效率,節省了時間成本。

PCBA失效分析方法 1087     

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本發明公開的屬于PCBA失效分析方法技術領域，具體為一種PCBA失效分析方法，包括以下步驟：S1：對PCB板進行外觀光學檢查，判斷其是否有污染、開裂或燒焦現象；S2：對步驟S1中判斷有污染的PCB板通過紅外光譜分析判斷其是否有機物污染，若有，檢測出有機物種類；通過元素分析判斷其是否有無機物污染，若有，檢測出無機物種類；S3：對步驟S1中判斷有污染或開裂的PCB板進行電性能檢測，判斷其是否有電性異常；本發明的PCBA失效分析方法對PCB板的失效分析全面，本發明通過外觀光學檢查、污染物檢測、電性能檢測、X?RAY射線檢測、金相顯微鏡檢測和SEM+EDS分析，能夠有效的檢測處PCB板的失效原因。

半導體器件失效分析方法、裝置、設備及存儲介質 1048     

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本發明實施例提供的半導體器件失效分析方法、裝置、設備及存儲介質，通過物理檢測獲取正常半導體器件的目標檢測參數，目標檢測參數包括正常半導體器件對應失效半導體器件上的失效點區域的檢測參數，其包括失效點區域的表面檢測參數、失效點區域的元素濃度檢測參數、失效點區域的剖面檢測參數；然后將獲取到的目標檢測參數作為預設仿真算法的輸入參數輸入，通過預設仿真算法結合預測失效結果，從而得到失效半導體器件的失效原因。也即本發明實施例實現了對失效半導體器件失效原因的逆向分析，以真實的失效半導體器件作為直接的分析對象，分析結果為全面、準確。

失效檢測方法以及失效檢測裝置 1125     

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一種失效檢測方法以及失效分析裝置,用于檢測導電體上的缺陷,所述失效檢測方法包括:在待測導電體上設置至少兩個輸出端,且所述輸出端電勢位相等;依次向所述待測導電體上沿預定路徑排列的檢測點輸入恒定的檢測電流;檢測各輸出端的輸出電流;基于各檢測點的位置信息以及各輸出端的輸出電流信息,建立輸出端輸出電流與檢測點位置之間的對應關系;根據所述對應關系判定檢測點是否存在缺陷。本發明所提供的失效檢測方法,能夠精確進行缺陷定位;并且使用帶電粒子束作為檢測電流源以避免照射點的尺寸限制,滿足了小尺寸失效分析的需求。

二極管失效分析裝置及其對二極管分析方法 967     

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本發明涉及一種二極管失效分析裝置及其對二極管分析方法。它包括本體、儲物柜、排污管、水池、抽風擋板、進水管、電熱爐，本體上端中間開有工作空間，工作空間內側斜上方裝有抽風擋板，工作空間中間一側有進水管裝在本體內側，工作空間下端一側開有水池，抽風擋板是傾斜安裝在本體內部上端，抽風擋板與本體內部上端之間是鏤空空間，鏤空空間下端連接排污管，鏤空空間上端有抽風口，抽風口上端裝有抽風機，抽風機上端連接排氣管，排氣管另一端連接通往廢氣收集機構。優點是裝置設計巧妙，使用方便，結構簡單緊湊，安全可靠，采用側吸式解決了氣體上沖或者冷凝液滴下問題，排出氣體通過廢氣回收裝置回收，保護環境，提高工作效率。

高階芯片失效分析物理去層分析方法 1168     

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本發明公開了一種高階芯片失效分析物理去層分析方法，包括：提供芯片及芯片上待進行物理去層的關注區域，芯片包括自下而上制備于襯底上的第一金屬層、第二金屬層、……、第N-2金屬層、第N-1金屬層以及第N金屬層，其中，8≤N≤10；自上而下依次刻蝕第N金屬層、第N-1金屬層、第N-2金屬層、……、第二金屬層以及第一金屬層；其中，刻蝕第N-1金屬層，包括：采用BOE刻蝕劑以第一刻蝕時間刻蝕關注區域內的第N-1金屬層上的氧化層；采用反應離子刻蝕法以第二刻蝕時間刻蝕第N-1金屬層上的氧化層至關注區域內的第N-1金屬層露出金屬銅；研磨金屬銅至關注區域內的第N-1金屬層完全去除。

失效分析中分析晶格缺陷的TEM樣品制備新方法 724     

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本發明公開了一種失效分析中分析晶格缺陷的TEM樣品制備新方法。該方法使用手動研磨代替聚焦離子束來制備TEM樣品，使樣品中的晶格缺陷在極小或極淺的情況下均能被發現，而且不受晶格缺陷的方向的影響。極大地促進了晶格缺陷的發現與觀測，準確率高，對TEM樣品的制備的研究具有重要意義。

基于大數據分析的設備失效模式診斷特征參量分析方法 923     

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本發明涉及基于大數據分析的設備失效模式診斷特征參量分析方法。本發明先通過檢驗樣本獲得設備的失效或故障模式，進一步通過極大似然估計后的函數f對特征參數求偏導數，通過偏導數絕對值的大小來判定特定失效或故障模式中不同特征參數的重要度。即通過對偏導數絕對值進行排序，就可以識別出設備失效或故障模式的關鍵特征參量，這為開展設備的失效或故障模式診斷指明了方向。

TSV圓片級封裝MEMS芯片的失效分析裝置及其分析方法 927     

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本發明公開了TSV圓片級封裝MEMS芯片的失效分析裝置及其分析方法，該裝置由顯微鏡、反光盒和探針系統組成；反光盒由外殼、外殼中兩個互成90°的反光鏡和外殼頂部開口處的透明玻璃組成，反光鏡與外殼底面夾角為45°；探針系統包括探針、探針臂和探針座，探針通過探針臂與探針座連接，探針上連接導線，導線與測試裝置或電源連接。該裝置利用反光鏡改變光線方向，不需背面鏡頭，就可以用于分析MEMS芯片的失效機理，結構簡單，效果好。本發明的分析方法為：將待分析MEMS芯片放置在透明玻璃上，在壓焊塊上扎上探針；通過導線向MEMS結構輸入激勵電壓；通過顯微鏡觀察MEMS結構的響應判斷MEMS器件的失效機理。該方法操作簡單，能夠快速、準確地對待分析MEMS芯片進行失效分析。

電子產品失效分析系統及分析方法 742     

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本發明公開了一種電子產品失效分析系統及分析方法，屬于電子產品失效分析技術領域，包括產品信息獲取模塊和產品外觀比對分析模塊，所述產品信息獲取模塊的輸出端與產品外觀比對分析模塊的輸入端電性連接；本發明通過在系統內部同時設置有外觀分析、測試分析與非破壞分析，可有效保證該系統對于產品失效分析的全面性與有效性，通過在該系統內還設置有數據綜合處理模塊，可對于失效原因進行匯總分析，從而給出解決電子產品的失效原因的成本，同時可根據失效原因給出一些產品使用建議，從而可有效為電子產品的生產廠家提供有效的改善生產的理論依據，同時可給予用戶有效的避雷建議，從而有效降低電子產品使用時的失效率，提高了該系統的應用效果。

用于電源濾波器失效分析的失效模式確認及拆解方法 1041     

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本發明公開了一種用于電源濾波器失效分析的失效模式確認及拆解方法，包括以下步驟：失效模式確認；電源濾波器拆解，具體包括以下步驟：開蓋；去外殼；預熱；勻速升溫；取出保溫；局部點吹；去除點吹部位的環氧樹脂；重復局部點吹和去除點吹部位的環氧樹脂，直至所有環氧樹脂被去除，得到電路組件。本發明通過預熱、勻速分段升溫、保溫、局部點吹加熱的方法將灌封組件的環氧樹脂進行軟化，軟化后再通過掏膠工具對環氧樹脂進行局部掏出，可在完全不損傷電路組件的前提下完成環氧樹脂的解剖，最終實現對環氧樹脂灌封的電源濾波器的順利拆解，得到的電路組件完整，沒有二次損傷，環氧樹脂被全部取出，顯著有利于后期失效分析的準確性提高。

半導體器件失效分析樣品制作方法及分析方法 1080     

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一種半導體器件失效分析樣品的制作方法，本發明所提供的半導體器件失效分析樣品的制作方法包括：提供待測的半導體器件，所述半導體器件包括晶片和封裝覆層；去除晶片背面的封裝覆層，直至暴露晶片焊墊；去除晶片焊墊；去除晶片背面的封裝覆層，暴露引腳框架，不暴露晶片內的引線。相應地，本發明還提供一種半導體器件失效分析方法。采用本發明所提供的半導體器件失效分析樣品制作方法和分析方法可以有效提高實效分析的效率，并且在暴露晶片背面的時候能夠避免對晶片造成損傷。

于失效分析中觀察失效區域的樣品制作方法 1202     

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本發明公開一種于失效分析中觀察失效區域的樣品制作方法，包括以下步驟，首先，提供一芯片，將進行失效分析。其次，在該芯片周圍點上保護膠固定在一小基板上，使該芯片在研磨時不會造成破損。其次，將該芯片倒置固定在一支撐基板上。最后，灌入卸取膠使該芯片能固定在一承載基板上，且在進行失效分析中在判斷出失效區域后能將該芯片卸取進而確認其失效原由。本發明方法能制作于失效分析中觀察失效區域的樣品，以便對于特定失效區域進行后續芯片結構及失效原由確認。

考慮質量偏差與失效相關性的早期失效風險分析方法 1090     

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一種考慮質量偏差與失效相關性的早期失效風險分析方法，其步驟如下：一、建立相關產品的基礎數據庫；二、建立早期失效動態故障樹，明確產品早期失效相關的各組件動態相關關系；三、分析各組件固有早期失效風險可能性；四、分析各組件固有早期失效風險嚴重性；五、分析各組件相關早期失效風險可能性；六、分析各組件相關早期失效風險嚴重性；七、分析產品早期失效風險；八、識別早期失效風險較高組件；九、結果分析；通過以上步驟，達到了從風險角度出發綜合考慮制造質量偏差與早期失效相關性分析早期失效的目的，為企業進一步面向制造過程主動預防早期失效，開展高效的質量管理提供決策依據，有利于持續提高企業生產效益和產品質量。

GOI失效點無損定位方法及GOI失效分析方法 1172     

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本發明涉及一種GOI失效點無損定位方法及GOI失效分析方法，包括步驟1，去除待分析樣品的金屬互連層，獲取具有裸露salicide層的預處理待分析樣品；步驟2，基于PVC法，采用電子束照射所述預處理待分析樣品的salicide層，并觀察其是否發亮；是，則所述待分析樣品存在GOI失效點，執行步驟3；否，則所述待分析樣品不存在GOI失效點，結束操作；步驟3，將電子束照射時發亮的salicide層切割成多個相對分離的區域；步驟4，再次基于PVC法，采用電子束照射所述區域，并找出所述區域中發亮的salicide層；步驟5，循環執行步驟3和步驟4，直至電子束照射時發亮的salicide層的大小不能進行切割時，結束操作。本發明實現GOI失效點的高精度定位，且整個定位過程不會導致GOI失效點的進一步破壞。

考慮失效傳遞和失效模式共因的故障樹分析方法 1176     

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本發明公開了一種考慮失效傳遞和失效模式共因的故障樹分析方法，包括以下步驟：同層基本事件獨立不相關性分析；中間層事件和關鍵底事件限制相關參數等級標準建立；基于基本事件基本屬性和基本事件分類方法的相關性組合模型；隨機擾動源作用下失效模式共因失效分析；考慮共因失效的失效模式串聯系統故障樹頂事件概率分析。本發明所述分析方法計算結果準確，適合推廣應用。

半導體功率器件失效分析的失效點定位方法 978     

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本發明提供了一種半導體功率器件失效分析的失效點定位方法，包括以下步驟：利用化學腐蝕剝層技術對覆蓋在功率器件表面的金屬鋁層進行化學腐蝕，將鋁層完全腐蝕去除，同時完整保留金屬鋁下層的阻擋層；利用微光顯微鏡和光束誘導電阻變化技術對功率器件進行正面定位，模擬失效情況下的電性條件，以及使用點針的方法進行加電，模擬電性條件，找出可能的失效點；利用電子封裝組裝失效分析工具對之前步驟的定位結果進行電子封裝組裝失效分析的物理驗證，找出最終的物理失效點。本發明有以下優點：有效地對金屬鋁層進行剝離，同時保持了阻擋層的完整性；極大地加快了半導體功率器件失效點定位工作的速度和效率，同時保持了很高的精度。

失效點的定位方法及芯片的失效分析方法 1020     

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本申請提供了一種失效點的定位方法及芯片的失效分析方法。其中，芯片包括襯底和位于襯底的器件，該定位方法包括：對芯片的背面進行減薄處理至接近器件；對減薄處理后的芯片的背面進行離子束轟擊，以使得離子束穿過器件；以及對離子束轟擊處理后的芯片的正面進行電子束掃描，以定位芯片中的失效點的位置。該定位方法通過對減薄處理后的芯片的背面進行離子束轟擊，以使得離子束穿過器件并使器件中產生擊穿區域，從而在利用電子束對芯片的待測表面進行掃描時，待測表面上產生的表面電荷能夠從器件表面沿著擊穿區域被釋放掉，減少了表面電荷對器件表面電勢的影響，進而能夠精確地獲得器件中失效點的位置。

H型鋼失效分析取樣及分析方法 1002     

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本發明公開了一種H型鋼失效分析取樣及分析方法，腹板裂紋和矯直裂紋是異型坯生產H型鋼中常出現的兩種裂紋失效形式，其中腹板裂紋位于H型鋼腹板位置，但腹板裂紋和矯直裂紋有時產生部位都在腹板與翼板連接R角處難以進行區分；本發明主要是提供一種判別H型鋼失效形式的方法，及方法實施過程中的取樣位置及檢測分析法。