為了解決現有技術中失效晶片檢測過程極為復雜、檢測周期相對較長、容易產生失敗檢測結果、檢測成本較高等一系列問題,本發明提供一種對柵氧化層進行失效分析的方法,包括:用熱凝膠將失效晶片倒貼在基片上,所述失效晶片包括襯底及襯底上的柵氧化層;將所述失效晶片的襯底研磨至一定厚度或全部去除所述襯底;用堿性溶液浸泡所述晶片表面;對所述失效晶片進行觀測,所述控制柵有損壞時,所述柵氧化層有缺陷;所述控制柵沒有損壞時,所述柵氧化層完好。本發明的失效晶片檢測方法簡單、用時較短、不易失敗、成本較低。
聲明:
“對柵氧化層進行失效分析的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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