有色金屬失效分析技術理論與應用

人工耳蝸植入體的失效分析方法 1111     

 0

本發明提供了一種人工耳蝸植入體的失效分析方法。該人工耳蝸植入體失效分析方法包括：ID遙測、阻抗遙測、順應性測試及刺激輸出的測試。本發明提供的人工耳蝸植入體的失效分析方法，旨在解決現有人工耳蝸耳蝸植入體失效分析方法的失效原因定位難、定位不準的問題，有效提升人工耳蝸植入體產品量產的合格率。

堆疊封裝結構的失效分析方法及結構 816     

 0

本申請公開了一種堆疊封裝結構的失效分析方法及結構，所述堆疊封裝結構包括堆疊且粘接在一起的多個裸片，所述多個裸片各自包括裸露的焊盤。所述失效分析方法包括：對所述堆疊封裝結構進行電測量，以確認故障裸片；采用探針標記所述故障裸片的焊盤；將所述堆疊封裝結構的多個裸片彼此分離；以及對已經標記的所述故障裸片進行失效分析。該失效分析方法從堆疊封裝結構中定位和標記故障裸片，在堆疊封裝結構的多個裸片分離之后能夠快速的找到故障裸片，進一步定位故障裸片的內部位置，因而不僅降低了測試成本，而且提高了效率。

電容的失效分析方法 1084     

 0

本發明提供了一種電容的失效分析方法，包括以下步驟：A、對需要進行分析的電容樣品進行外觀觀察，分析可能的實效原因；B、對需要進行分析的電容樣品進行X-Ray透視檢查，確認電容的內部結構；C、使用小刀將電容劃開，取出電容樣品中的薄膜；D、將需要進行分析的電容樣品制作成金相切片樣品；E、使用掃描電子顯微鏡對金相切片好的樣品進行觀察分析；F、綜合分析上述步驟得出的結果，確定電容失效的原因。本發明帶來的有益效果是：本發明方法步驟簡單清晰，可準確分析出電容失效的原因，不會造成誤判。

對失效芯粒的自動分析方法及系統 789     

 0

本發明涉及一種對失效芯粒的自動分析方法及系統，所述方法包括以下步驟：收集待測晶圓的WAT數據及CP數據，進行數據分析處理，所述WAT數據為待測警員的電性測試數據，所述CP數據為待測晶圓上每一個芯粒的測試數據；根據待測晶圓不同的WAT測試項目、測試坐標將待測晶圓的WAT數據生成對應測試項目的WAT?mapping圖；根據待測晶圓不同的CP測試項目、測試坐標將待測晶圓的CP數據生成對應測試項目的CP?mapping圖，并根據生成的CP?mapping圖單獨提取與WAT相對應shot位置的數據，形成新的CP?WAT?mapping圖；將待測晶圓的WAT?mapping圖與CP?WAT?mapping圖進行比對，計算得到WAT?mapping圖與CP?WAT?mapping圖的相似值，并根據計算得到的相似值大小排序，判斷出待測晶圓的CP測試項目與WAT測試項目的相關性。節省人力物力，提高效率。

半導體器件的失效分析方法 1004     

 0

本發明關于一種半導體器件的失效分析方法，其包括步驟：去除半導體器件背面的銅層；對半導體器件背面的硅層進行減??；及使用微光顯微鏡(Emission？Microscope，EMMI)和/或鐳射光束誘發阻抗值變化測試(OBIRCH)電性定位設備定位半導體器件背面的失效點。本發明半導體器件的失效分析方法通過通過對半導體器件的背面進行除銅、硅層減薄及失效點定位，節約了時間，提高了效率及成功率。

電力聯結金具失效分析方法 1205     

 0

本發明涉及一種電力聯結金具失效分析方法，包括步驟有：(1)對失效的金具進行現場環境、工作狀態及有關信息展開調查并記錄；(2)收集與失效金具有關的背景資料；(3)對失效金具進行分析試驗，找出失效金具損壞的原因；(4)分析試驗結果，得出最終失效結論。通過本發明方法對金具失效過程的分析研究，不但可以弄清金具失效的本質、產生的原因及提出預防的措施，而且有助于查找技術管理方面的薄弱環節，通過確定失效的原因，可完善材料性能、改進設計、選型、安裝工藝、檢修、檢查、監督等各方面工作，提高金具的質量。

失效分析方法及結構 1015     

 0

公開了一種失效分析方法及結構，方法包括：獲取測試結構的位置以及與所述測試結構對應的目標焊盤的位置；將所述目標焊盤電連接至空白焊盤上；通過所述空白焊盤對所述測試結構進行失效分析，其中，所述目標焊盤位于所述測試結構上方，將所述目標焊盤電連接至所述空白焊盤上后，所述目標焊盤與所述空白焊盤之間實現電交流。該申請中通過將目標焊盤與空白焊盤電連接，通過在空白焊盤扎針進行失效分析的方法，避免了直接在目標焊盤扎針進行失效分析的過程中，多次扎針引起的測試結構損傷的情況，提高了失效點定位的準確性。

電學失效分析方法及相關裝置 843     

 0

本申請提供一種電學失效分析方法，包括：獲取晶圓的各個失效晶粒的失效日志；根據失效晶粒的失效日志中高頻測試結果和低頻測試結果，確定各個高頻主導失效晶粒和各個低頻主導失效晶粒；獲取當前高頻主導失效權重值；根據各個高頻主導失效晶粒的各個結構層的高頻失效尺寸、各個低頻主導失效晶粒的各個結構層的低頻失效尺寸、當前高頻主導失效權重值和晶圓的各個結構層的設計尺寸，獲取各個結構層的失效偏差值，根據失效偏差值和預定偏差閾值，調整當前高頻主導失效權重值，直至至少一個結構層的失效偏差值滿足預定偏差閾值，獲取與最大的失效偏差值相對應的最大失效影響層。本申請實施例所提供的電學失效分析方法，可以提高電學失效分析的準確性。

半導體結構的失效分析方法 910     

 0

本發明公開的一種半導體結構的失效分析方法包括：提供一待測半導體結構，待測半導體結構包括襯底、柵極結構、介質層、互連金屬層和鈍化層，且襯底內形成有阱區、源漏極；去除鈍化層、互連金屬層、介質層以及柵極結構以將源漏極的上表面予以暴露；繼續將源漏極上表面暴露的待測半導體結構放入氫氟酸混合溶液中浸泡以對該待測半導體結構進行染色操作；觀察進行染色操作后的待測半導體結構以對該待測半導體結構進行失效分析；通過該方法不需要對每一個晶體管進行電特性分析的精確定位，而只需要定位出一個小于10um×10um的區域，即可快速確認芯片的失效是否由LDD未有效注入引起，從而降低了失效分析的難度以及失效分析的成本。

電性失效分析方法 908     

 0

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種電性失效分析方法，利用存儲單元的電流拼圖進行一種直觀性，準確性和高效性的電性分析測試，電流高低不同的存儲單元會以深淺不一的顏色顯示出來，而不是像比特拼圖只能表示存儲單元是處于‘0’還是‘1’狀態，可以清楚地知道失效地址是硬失效還是邊緣失效，因此發現一些比特拼圖不能發現電性失效圖案對應的物理位置，給后續物理失效分析指明確切的分析方向，從而提高分析效率和失效案例的命中率。

基于失效分析專家系統的構件失效模式檢測方法 1114     

 0

本發明屬于構件失效分析技術,涉及一種在對失效信息進行采集的基礎上基于失效分析專家系統的構件失效模式檢測方法。本發明利用計算機輔助失效分析專家系統進行構件失效模式的檢測,可以快速、準確地幫助失效分析人員進行失效分析,避免人為因素的干擾,還可以彌補個人知識和經驗的不足,提高分析的準確性和縮短分析的周期。本發明對失效結構件進行外觀、宏觀、微觀等的充分分析,并結合失效件的材料、載荷、環境等失效信息進行失效件的失效模式和失效機理分析,從而提高了失效結構件的分析準確率。

半導體失效分析結構及形成方法、檢測失效時間的方法 1150     

 0

一種半導體失效分析結構及其形成方法、檢測失效時間的方法，其中所述半導體失效分析結構包括：半導體襯底，所述半導體襯底具有待測區、第一串聯區和第二串聯區；位于所述半導體襯底的待測金屬層、第一金屬層和第二金屬層；位于層間介質層內的第一導電插塞使第一金屬層、第二金屬層和待測金屬層串聯；位于所述第一串聯區的若干第一電阻金屬層；位于所述第二串聯區的若干第二電阻金屬層；位于第一串聯區層間介質層內的若干第二導電插塞；位于第二串聯區層間介質層內的若干第三導電插塞；所述第一導電插塞、第二導電插塞、第三導電插塞將所述待測金屬層、第一金屬層、第二金屬層、若干第一電阻金屬層和若干第二電阻金屬層依次串聯。

新型集成電路失效分析檢測方法 780     

 0

本申請實施例涉及一種新型集成電路失效分析檢測方法。根據本申請的一實施例，新型集成電路失效分析檢測方法包括：對集成電路組件進行封膠以得到包含新型集成電路的膠柱體，其中集成電路組件包括晶片和襯底，襯底具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，晶片位于襯底的第一表面上；以及從靠近襯底的第二表面的膠柱體的底面進行研磨至暴露襯底。本申請實施例提供的新型集成電路失效分析檢測方法可有效解決傳統技術中遇到的問題。

電容失效分析檢測方法 816     

 0

本發明涉及一種電容失效分析檢測方法，包括如下步驟：外觀檢查；內視檢測，通過探傷檢測設備對失效電容進行失效點定位，并確定失效點位置；初步確認失效原因，根據失效點位置列出可能的失效原因；模擬試驗，根據失效原因對良品電容進行針對性的通電模擬，驗證可能的失效原因，并將良品電容在失效損毀后的失效點情況與失效電容的失效點位置進行比對，確定失效原因；金相檢測，將失效電容制成失效點位置的金相切片并在金相顯微鏡下觀察確認，再使用掃描電鏡和能譜分析儀對金相切片進行掃面分析，驗證確定電容失效損毀原因并給出分析結論。本發明能夠快速、高效地確認電容失效的根本原因，通過電容失效分析實現對于電子系統的工作可靠性的提高。

電子產品的可靠性失效分析檢測方法 967     

 0

本發明公開了一種電子產品的可靠性失效分析檢測方法，包括以下步驟：S1、在電子產品元件上安裝溫度、電流和電壓監測裝置；S2、將電子產品元件額定范圍輸入分析檢測單元并作為第一數據；S3、溫度、電流和電壓監測裝置對電子產品元件實時數據檢測并上傳；S4、上述數據在分析檢測單元中與額定范圍值的最大值進行比較計算，超出額定值關閉電子產品元件；S5、將失效數據通過失效數據顯示單元進行顯示。本發明分析檢測方法簡單明了，通過數次檢測即可得出影響電子產品元件可靠性的主要原因，并針對性的進行改進，提高電子產品元件使用的可靠性，延長電子產品元件使用壽命，適合進行推廣。

靜態存儲器的在線失效分析方法及在線電子束檢測設備 1099     

 0

本發明提供了一種靜態存儲器的在線失效分析方法和在線電子束檢測設備，包括：將不同類型的探針安裝到在線電子束檢測設備的腔體中；將晶圓置于在線電子束檢測設備的腔體中；利用在線電子束檢測設備對接觸孔進行掃描并獲得靜態存儲器中接觸孔的圖像信息；根據接觸孔的圖像信息找出產生缺陷的接觸孔；根據產生缺陷的接觸孔的類型來選擇與之相對應的探針；在線電子束檢測設備控制所選擇的探針與相應的產生缺陷的接觸孔相接觸，并進行電性能檢測；根據產生缺陷的接觸孔在靜態存儲器單元中的功能，在線電子束檢測設備將探針進行組合來檢測功能并進行失效分析；檢測到功能失效，則產生缺陷的接觸孔是導致靜態存儲器失效的原因。

針對化學發光免疫分析儀上反光杯失效的檢測系統 1044     

 0

本發明公開了一種針對化學發光免疫分析儀上反光杯失效的檢測系統。涉及使用到反光杯的化學發光免疫分析儀設備，屬于體外診斷器械領域。該檢測系統包含光源模塊，檢測光路模塊以及上位機系統共三部分。光源模塊和檢測光路模塊連接為一體，和化學發光免疫分析儀連接。通過上位機系統，實現對反光杯失效進行檢測和判斷。本發明有益效果：光源模塊通過光強控制單元可調節光強大小，同時光源模塊帶有光強檢測與反饋單元，以此保證光源光強輸出的穩定。反光杯的反光面做鱗片化調整，增加了光線在反光面上的反射次數，保證了檢測的可靠性；其次，操作方法簡單，按照操作流程，就可及時且有效的判斷反光杯失效問題。

覆晶芯片失效分析方法及電性定位中檢測樣品的制備方法 1065     

 0

本發明公開了一種覆晶芯片失效分析方法及電性定位中檢測樣品的制備方法，所述制備方法包括：提供待測的覆晶芯片，包括封裝基底與制備于封裝基底上的裸片，裸片的外部覆蓋有塑封體，裸片與封裝基底之間連接有金凸塊，封裝基底的底部焊接有錫球；研磨裸片外部的塑封體直至裸露出裸片的晶背；將裸片的背面結合到一玻璃基板上，玻璃基板上設有導電片；用封裝綁線將玻璃基板上的導電片與封裝基底底部的錫球電性連接，以得到檢測樣品。本發明覆晶芯片失效分析檢測樣品的制備方法，通過研磨掉裸片的背面的塑封體，再將裸片的背面結合在玻璃基板上進行失效分析，不必腐蝕塑封體以及分離封裝基底與裸片，從而避免了取裸片的過程中金凸塊被腐蝕的可能性。

汽車車窗開關失效的檢測分析方法 1196     

 0

本發明屬于電子產品失效分析領域。本發明提供了一種汽車車窗開關失效的檢測分析方法，包括以下步驟：A、對失效的汽車車窗開關樣品進行失效定位，通過外觀檢查和電學測試，尋找出失效的位置；B、查找失效原因；C、分析與排查失效原因：對步驟B中的可能原因依次進行驗證，以確定出具體的車窗開關失效原因；D、模擬重現失效現象，驗證失效機理。本發明方法步驟簡單清晰，能有效找出電子產品失效的多種原因；本發明方法中使用了“窮舉法”使得引起電子產品失效的原因盡可能多地被查找出來；本發明方法中通過模擬重現失效現象以提高失效原因的真實性和可靠性，極大地減少了分析出錯。

用于半導體器件失效分析的檢測方法 877     

 0

一種用于半導體器件失效分析的檢測方法,包括:利用聚焦離子束,對產生有缺陷的半導體器件剖面進行磨削,以改變源/漏區的表面性狀;利用腐蝕處理溶液,對所述半導體器件的剖面進行腐蝕,以顯露出源/漏區的結剖面形貌;利用放大成像裝置得到對應所述半導體器件的剖面的圖像資料,觀察所述圖像資料以獲取所述半導體器件所產生的缺陷的分布情況。本發明通過聚焦離子束磨削和腐蝕處理溶液腐蝕相結合,獲得易于觀察的半導體器件的源/漏區的結剖面形貌,提供判斷器件是否失效的依據。

引入內檢測數據的地震作用下腐蝕管道失效概率分析方法 1057     

 0

本發明公開了引入內檢測數據的地震作用下腐蝕管道失效概率分析方法，對不同檢測時間下所獲得的管道內檢測數據進行特征匹配；基于特征匹配結果，分別在軸向、周向和徑向上建立獨立的管道腐蝕隨機增長模型；通過伽瑪分布聯立三個管道腐蝕隨機增長模型，得到3D依賴的腐蝕隨機增長模型，嵌入貝葉斯推斷中，再通過MCMC模擬技術對貝葉斯推斷進行更新，得到更新的3D腐蝕隨機增長模型，建立等效地震作用下的腐蝕管道失效概率模型，結合失效條件，評估腐蝕管道的失效概率。本發明可解決現有技術僅從徑向上估計腐蝕缺陷增長的問題，實現綜合考慮管道腐蝕在三維方向的增長，以提高預測準確性的目的。

刀具失效過程實時檢測及優化數據分析系統 1024     

 0

本發明提供刀具失效過程實時檢測及優化數據分析系統，包括監測模塊和失效分析模塊；所述監測模塊，用于實時獲取刀具工作過程中刀具的紋理特征值和溫度特征值；所述失效分析模塊，用于基于已訓練的刀具失效模型對所述紋理特征值和溫度特征值進行處理，得到刀具失效狀態。通過測試和提取刀具紅外信號特征樣本，斷精度可達到80％以上，有效解決了刀具工作狀態難以實時監測與診斷的技術難題，對提高刀具的工作效率以及節能降耗具有非常重要的意義。

機械結構件微結構損傷失效檢測分析方法 1039     

 0

本發明公開一種機械結構件微結構損傷失效檢測分析方法，該方法包括以下步驟：步驟一、缺陷檢測：將待檢測機械結構件放置在電子加速器的靶頭前照射，用探測器對待檢測機械結構件進行探測；步驟二、缺陷定位：兩個探測器按預設角度接收待檢測機械結構件湮滅放出511keV光子，并兩個能譜通過三維合成云圖，通過云圖展示受檢機械結構件的缺陷位置；步驟三、S參數計算：光譜的定性分析圖，即得到可反映材料劣化信息的S參數；步驟四、缺陷情況分析：對于有缺陷的待檢測機械結構件，由于電子的動量小，造成的多普勒展寬小，得到的S參數大。本發明具有根據所放出的γ射線強度，評估材料的劣化情形的特點。

電池能量失效模式與效應分析檢測裝置 963     

 0

本實用新型涉及檢測裝置技術領域，尤其涉及電池能量失效模式與效應分析檢測裝置，包括：安全門、干粉噴頭、排氣扇；所述干粉噴頭固定設置在檢測單元的內壁上，且干粉噴頭通過管道與干粉儲存罐相連接；所述排氣扇設置在檢測單元的內壁上，且排氣扇與控制器通過電性方式相連接；所述液壓油缸設置在固定板上，且液壓油缸與液壓油泵站通過油管相連接；所述煙霧感應器固定設置在固定板上，且煙霧感應器與控制器通過電性方式相連接。本實用新型通過結構上的改進，具有結構簡單，性能穩定可靠，分析檢測效率高，使用安全性高的優點，從而有效的解決了現有裝置中存在的問題和不足。

軟包鋰電池微孔失效原因的分析檢測方法 952     

 0

本發明涉及一種軟包鋰電池微孔失效原因的分析檢測方法，該方法具體實施步驟如下：首先將ALF鋁塑膜中含有微孔的區域剪下，將其浸泡在電解液中，然后置于10℃～150℃的溫度環境下存儲1?60天；當ALF鋁塑膜中的聚丙烯(PP)層、尼龍層等不同材料與鋁層分離后，將鋁層取出；再將浸泡過的鋁層置于顯微鏡下，觀察微孔是向尼龍層方向變形，即判定是由沖頭顆粒異物所致；還是向PP層方向變形，即判定制造過程中受外力影響；或者是不變形，即判定由沖殼變形拉伸所造成，進而確定該鋁層微孔產生的原因，以調整鋰電池生產工藝，改變不良生產環境和條件。本發明方法設計合理，操作簡單，分析檢測準確，可靠性高，成本低、效益高，應用效果非常顯著。

鋰電池短路失效分析方法及檢測裝置 1213     

 0

本發明涉及鋰電池制造領域，具體涉及一種鋰電池短路失效分析方法，其包括如下步驟：提供一粉塵以及與粉塵相對應的分析參數，其中，分析參數包括粉塵的種類和粒徑；將正極極片、隔膜和負極極片依次疊放，其中，粉塵設置在正極極片與隔膜之間，或者，粉塵設置在負極極片與隔膜之間；對正極極片和負極極片施加壓力以壓緊正極極片和負極極片；對正極極片和負極極片提供電壓；調整壓力和/或電壓直到正極極片和負極極片短路；記錄在該分析參數下粉塵短路時對應的壓力和電壓。通過重復上述步驟，則可以得出不同分析參數的粉塵在一定條件下短路的數據，由此，鋰電池在安全驗證中短路后，通過查詢比對所記錄的數據，則可以快速的查出是何種粉塵。

失效分析專用載板、測試設備、芯片電性失效分析的方法 871     

 0

本發明提供一種針對待測芯片設計專用載板、測試設備、芯片電性失效分析的方法，所述方法包括：針對待測芯片設計專用載板，所述載板包括位于待測芯片容納區域的焊盤陣列、用于與測試機臺進行信號傳輸的針腳陣列，以及連接所述針腳陣列和焊盤陣列的金屬連線；將待測芯片采用SMT技術貼裝于所述載板上。本發明提供的芯片電性失效分析的方法和用于芯片電性失效分析的專用載板以及測試設備能夠方便快捷的完成硬件準備，且能夠容易的實現大管腳數目芯片測試的芯片失效分析。

測試結構、失效分析定位方法及失效分析方法 1006     

 0

本發明提供了一種測試結構，包括蛇形金屬線和兩個相對交錯設置的測試梳狀結構，每個測試梳狀結構分成至少兩個子梳狀結構，且每個所述測試梳狀結構中的相鄰兩個所述子梳狀結構之間具有間隔，且每個所述測試梳狀結構中的至少一個所述間隔處的所述蛇形金屬線的至少一個拐彎部位上引出有焊盤。即通過上述方法將所述測試結構分成了若干個小面積的測試結構，能夠解決EBIRCH不能定位到超大面積結構nA級別漏電的短路點的問題；同時結合電阻比例法，以使得EBIRCH能輕易定位到超大面積結構nA級別漏電的短路點，從而找到失效的根本原因，對解決工藝問題以及促進研發進度能有很大的幫助。

車輛失效分析系統、車輛失效分析設備及車輛失效分析方法 799     

 0

本發明涉及車輛失效分析系統、車輛失效分析設備及車輛失效分析方法。一種車輛失效分析系統(1),用于裝有多個控制系統的車輛,每個控制系統由一個或多個部件形成,所述車輛失效分析系統包括:故障系統識別單元(2D),其從多個控制系統中識別故障控制系統;故障部件識別單元(3B),其根據所識別的控制系統,從一個或多個部件中識別故障部件。

用于集成電路電性失效分析的芯片測控系統及測試方法 1248     

 0

本發明公開了用于集成電路電性失效分析的芯片測控系統及測試方法，該系統實現了不同封裝形式的待測失效芯片與光電檢測儀之間靈活可靠的光信號耦合，并且通過上位機、失效芯片裝卡組件和失效芯片測控組件之間的交互為待測失效芯片提供了進入并保持特定失效狀態的觸發手段；其次，通過對待測失效芯片的失效表征工作電流進行連續采樣和實時檢測，確保了對待測失效芯片失效態的識別和監控。最后，通過環境變量傳感模塊實現了對待測失效芯片檢測環境的實時監測。