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本發明公開了一種高鐵齒輪箱體壽命分析預測中失效數據不足解決方法，所述方法首先利用有限元仿真技術對高鐵齒輪箱體進行有限元分析；其次利用齒輪箱體材料的旋轉彎曲疲勞試驗結果，分析其疲勞壽命的分布規律，并進行參數估計，建立齒輪箱體材料的SN曲線模型；最后結合齒輪箱體的有限元仿真數據和材料的疲勞試驗數據進行齒輪箱體壽命分析預測。本發明以高鐵齒輪箱體這類大型、載荷復雜、服役周期長的結構為對象，針對其失效數據不足的問題，從跨尺度的角度考慮，提出了一種高鐵齒輪箱體壽命分析預測中失效數據不足的解決方法，為進一步進行齒輪箱體的疲勞壽命預測打下了基礎，也為此類結構件的疲勞壽命分析提供了一種新的研究方法。
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本發明公開了一種應力環失效測試結構，包括：多個金屬層以及連接在各金屬層之間的過孔組成的鏈狀結構，所述鏈狀結構環繞應力環相鄰布置，所述鏈狀結構兩端形成有焊盤，所述鏈狀結構兩端焊盤其中一端焊盤接地，另一端焊盤空接。本發明還公開了一種利用所述應力環失效測試結構的應力環失效定位分析方法。本發明能通過電壓襯度對比的方法定位應力環周圍測試結構的斷點位置，通過測試結構的斷點位置判斷應力環切片過程中所受應力損傷的方向，進一步指出應力環發生應力失效的位置，提高了FA失效分析的效率；并且，本發明提供的應力環失效測試結構相鄰應力環對內部芯片也可起到二次保護作用。
本發明提供了一種基于失效模式分析的衛星星載制導與導航軟件的設計和測試方法，該測試方法包括如下步驟：S1：自n個所述第二終端獲得其失效情況的反饋；若所述第一終端的數據庫中未記錄該失效情況對應的失效類別條目，則進入步驟S2；S2：將得到的失效類別條目歸類到數據庫中的失效模式類別中，并得到每個失效情況對應的失效類別條目；S3：重復步驟S1至S2，且在重復的過程中，同時進入步驟S4；S4：根據所需測試的軟件的需求，索引當前數據庫中相應的失效模式類別，參考該失效模式類別下失效類別條目中記載的信息設計測試用例，對衛星星載制導與導航軟件在終端的運行進行測試。
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本實用新型公開了一種便于IC卡失效分析的測試板，包括芯條、測試板本體和背板，所述測試板本體的上表面開設有通槽，且測試板本體的上表面開設有安裝孔，所述安裝孔共設有四十八個，且四十八個安裝孔每二十四個為一組，每組安裝孔關于測試板本體的上表面等距分布，所述芯條焊接在測試板本體的上表面位于通槽的一側外端面，所述芯條共設有四個，且四個芯條關于通槽的上表面呈矩形陣列分布，所述背板焊接在測試板本體的后表面，所述背板采用玻璃制成，且背板采用透明設計。本實用新型便于失效分析，節省大量時間。
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本實用新型涉及一種帶有失效分析測試金球的CSP封裝件，所述CSP封裝件為IC芯片，所述IC芯片包括電子元器件層、測試金球和封裝層，所述電子元器件層封裝在所述封裝層內，所述電子元器件層具有突出在所述封裝層外的錫球，所述錫球與所述電子元器件層中的電子元件相連，所述錫球與所述測試金球相連。本實用新型可以實現在對IC芯片做失效分析的時候，可以對IC芯片通電。
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本實用新型公開了一種芯片失效分析的測試裝置，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設有均勻布置的金屬凸起，貫穿載板上表面、下表面設有與金屬凸起對應的均勻布置的通孔，通孔內設有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接；其測試機臺用于對被測芯片輸出測試信號，且可選擇地與金屬凸起電性連接。本實用新型是一種能夠廣泛適用于各種封裝結構的芯片進行失效分析的測試設備。
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本申請公開了一種字線電阻測試方法及三維存儲器失效分析方法，其中，所述字線電阻測試方法首先將三維存儲器的第一臺階區和第二臺階區的多根通孔連線暴露出來，然后通過在第一臺階區形成連接金屬層的方式，將多根字線通過通孔連線和連接金屬層連接起來，最后通過在第二臺階區測試每兩根待測連線的電阻，并根據測試獲得的第一測試電阻、第二測試電阻和第三測試電阻計算三個所述待測連線的電阻，也即得到了與這三根待測連線對應的字線電阻，從而實現了對三維存儲器中字線電阻的測量，為對三維存儲器進行失效分析奠定了基礎。
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本發明提供了一種對封裝芯片進行測試及失效分析的方法，對封裝芯片靠近金球的一面進行第一次研磨，至暴露出所述金球，從而可以采用探測板通過金球對所述封裝芯片進行探針測試；對封裝芯片靠近硅襯底的一面進行第二次研磨，至暴露出所述硅襯底，從而可以采用紅外定位的方法確定封裝芯片的失效點，避免了現有技術中高溫和化學腐蝕對封裝芯片的影響或破壞，提高對封裝芯片進行失效分析的準確性及效率。
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本發明公開了一種CPI測試結構，包括：基底，其中形成有層間介電層；鈍化層；設置在所述基底表面；頂層金屬層，設置在所述鈍化層下方；層間金屬層，其包括貫穿所述層間介電層的層間互連結構，所述層間互連結構設置有首端和末端，所述首端和末端分別與頂層金屬層電連接；所述層間互連結構還包括多個凸出端部，所述凸出端部延伸至頂層金屬層并與頂層金屬層電連接。本發明可節省失效分析過程中剝掉更多金屬及介電層次所花的時間，提高失效分析效率。本發明還涉及一種基于該CPI測試結構的失效分析方法。
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本發明公開了一種通用型芯片失效分析的測試設備，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設有金屬凸起，載板設有通孔，通孔內壁均設有金屬彈片，通孔內設有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接，同時金屬彈片被壓縮；其測試裝置包括測試機臺及邏輯開關，測試機臺通過邏輯開關對被測芯片輸出測試信號。本發明是一種能夠廣泛適用于各種封裝結構的芯片進行失效分析的測試設備。
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一種液晶面板測試模組及一種液晶面板失效模式分析方法,其中液晶面板測試模組包含:驅動電路、測試電路以及若干個開關。其中驅動電路包含:若干個信號輸入線及若干個信號輸出線,信號輸出線包含第一信號輸出線群組、第二信號輸出線群組和第三信號輸出線群組;測試電路包含第一測試信號線、第二測試信號線和第三測試信號線,分別與第一信號輸出線群組、第二信號輸出線群組和第三信號輸出線群組電連接;以及若干個開關分別位于第一測試信號線、第二測試信號線和第三測試信號線與每一信號輸出線之間。
本發明公開一種提高絕緣體擊穿電壓失效分析效率的測試結構，包括：若干并聯電容，每一個電容的上極板均通過第一接線連接第一金屬墊，每一個電容的下極板均通過第二接線連接第二金屬墊，其特征在于，還包括：第三金屬墊，通過第三接線連接所述第二接線；第四金屬墊，通過第四接線連接所述第一接線。本發明的優點是：采用新的測試結構后，對測試結果沒有影響，同時在失效分析時也能保證絕大部分樣品能找到失效位置。
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本發明公開了一種芯片失效分析的測試設備，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設有均勻布置的金屬凸起，貫穿載板上表面、下表面設有與金屬凸起對應的均勻布置的通孔，通孔內設有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接；其測試機臺用于對被測芯片輸出測試信號，且可選擇地與金屬凸起電性連接。本發明是一種能夠廣泛適用于各種封裝結構的芯片進行失效分析的測試設備。
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本實用新型公開了一種失效分析探針臺測試工裝夾具，所述工裝夾具為雙層PCB板結構，包括：上層PCB板和下層PCB板；所述上層PCB板表面設置有用于連接被測器件的多通道DIP插座和用于與外部控制臺相連的電纜插座，所述電纜插座通過PCB布線連接所述多通道DIP插座的各個端口；所述下層PCB板表面設置有用于與測試臺固定的真空吸附裝置；本實用新型的失效分析探針臺測試工裝夾具使用方便、器件固定牢固、易于更換。
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本發明公開了一種正交通孔鏈測試結構開路失效的分析方法，先電性驗證哪條正交通孔鏈出現開路情況，逐層研磨至失效位置上層介質層；將開路正交通孔鏈一端接地，使其處于接地狀態，該通孔鏈另一端處于懸空狀態，另一條相鄰正常的通孔鏈處于懸空狀態，在失效點處上層金屬互聯層會出現明暗差別的電壓襯度圖像，觀察失效點處上層金屬互聯層上表面是否有失效點；在確定的上層金屬互聯層失效點處的x方向與失效區域相似結構處，利用聚焦離子束去層直至看見下層金屬互聯層結構，去層區域中與失效點X方向所對應的下層金屬互聯層所在位置即為失效點下層金屬互聯層位置，從而確定TEM的制樣位置。本發明能夠精確定位電路中開路失效模式的異常位置。
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本實用新型公開了一種通用型芯片失效分析的測試裝置，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設有金屬凸起，載板設有通孔，通孔內壁均設有金屬彈片，通孔內設有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接，同時金屬彈片被壓縮；其測試裝置包括測試機臺及邏輯開關，測試機臺通過邏輯開關對被測芯片輸出測試信號。本實用新型是一種能夠廣泛適用于各種封裝結構的芯片進行失效分析的測試設備。
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本申請實施例公開了一種透射電鏡試樣及其制備方法、待測結構的失效分析方法，其中，所述透射電鏡試樣的制備方法包括：在待測結構中確定測試區域；在測試區域中確定待分析結構和待去除結構，所述待分析結構沿第一方向的兩端分別與所述測試區域的邊緣具有第一預設距離，所述待去除結構位于所述待分析結構沿第二方向的投影區域內，所述待分析結構朝向所述第二方向的側面與所述待去除結構接觸，所述第一方向與所述第二方向之間的夾角大于0°且小于180°；去除所述待去除結構，并保留在第一方向上位于所述待去除結構兩側的至少部分所述測試區域作為支撐結構，得到透射電鏡試樣，其中，所述支撐結構與所述待分析結構形成一體成型的至少一個U型支架。
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本發明涉及一種多失效模式下結構系統模式重要性測度分析方法，包括：通過重新定義設置部組件系統中模式的概率重要性測度、貝葉斯重要性測度、關鍵重要性測度、風險增加當量重要性測度和風險減少當量重要性測度，來從不同的評估角度衡量結構系統中各失效模式對結構系統可靠性的影響程度；通過基于Copula函數方法計算各模式的重要性測度指標；或者通過SRGP法對模式重要性測度進行高效求解；或者通過MRGP法對模式重要性測度進行高效求解。本發明從不同的評估角度，全面、系統地定義一系列模式重要性測度指標，并針對定義的模式重要性測度指標，提供了有效實現方法，最終實現精確、高效地識別出結構系統中的重要模式和非重要模式。
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飛機鎖機構部件磨損退化與功能退化競爭失效分析方法，屬于飛機鎖機構部件可靠性分析技術領域。本發明是為了解決現有飛機鎖機構的失效分析方法中，需要對部件磨損退化和功能退化分別建模再考慮相關性，分析結果可靠性低的問題。它用非線性漂移布朗運動對部件磨損退化失效進行建模，并用代理模型建立各個磨損退化分部件與功能量之間的函數傳遞關系，以此尋找功能量的退化規律。FGM?copula函數用來建立部件磨損退化量和功能退化量之間的聯合概率密度函數，并基于此計算不同失效模式下的競爭失效概率和鎖機構的整體可靠度。本發明用于計算飛機鎖機構部件的可靠度。
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本實用新型公開了一種聚合物鋰電池機械損傷失效分析模擬測試裝置，包括：底座；設置在底座上用于放置并帶動鋰離子電池轉動的轉盤；設置在轉盤上用于壓緊鋰離子電池的壓緊機構；以及設置在轉盤一側用于對電池進行穿刺的穿刺機構。本實用新型通過設置轉盤以及壓緊機構使得可以對鋰電池的不同角度進行穩定可靠的測試，克服了目前采用手動試驗存在的無法控制方向和力度、不能有效地驗證外力破壞電池的效果、不能調整角度對電池不同部位受力測試且存在安全隱患的缺陷。
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本實用新型提供一種芯片表面放電的失效分析用測試裝置，包括基座、夾持件和導電件，夾持件可移動的連接在基座上，導電件可旋轉的連接在基座上，基座、夾持件和導電件的材料均為導電金屬材料；當置于SEM機臺的操作臺上時，夾持件夾持芯片，芯片通過夾持件分別與基座和導電件電連接，基座和導電件均與操作臺上的接地端連接，以通過基座在SEM機臺的操作臺上的接地端連接，降低芯片在測試時出現的芯片表面放電的問題，導電件可以增加芯片接觸接地端(碳膠)的面積，從而解決了芯片在SEM機臺上測試時出現的芯片表面放電的問題，該裝置沒有在芯片的四周點碳膠，沒有去除碳膠以及點碳膠的過程，從而減少了在芯片周圍反復點碳膠所耗費的時間。
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本發明公開了一種在線監測故障定位失效分析和控制的方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟1、在需要監控的設備上部署傳感器；步驟2、由數據采集器將傳感器采集的信息通過局域網傳遞至本地以及云架構平臺服務器上；步驟3、通過不斷抓取數據建立數據模型，利用模型反復迭代數據，不斷進行歷史數據對比；步驟4、經過數據的反復校驗迭代后給出備品備件的損害率數據以及廠家質量對比。本發明中，云端管理的擴展性好，升級方便，可接收各個區域本地采集端服務器上報的數據，對數據進行分類，存儲，分析，展示等操作，無需人工管理，實現智能化。
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本發明涉及升降機領域，具體公開了一種基于制動力矩分析的升降機失效預測方法。該升降機失效預測方法，包括制動距離閾值確定、建立制動距離的退化模型和獲取升降機的剩余壽命步驟，可以實現對升降機剩余壽命的預測，為升降機的維護和更換提供參考，進一步提高升降機的使用安全性。
本發明提供一種元器件失效分析專家系統中失效分析流程構建方法及系統，所述方法包括以下步驟：采集各門類電子元器件的失效信息；所述失效信息包括：失效分析方法、失效現象、失效模式、失效機理、失效環境；構建各失效信息之間的關聯關系；以所述失效模式為觸發點，根據各失效信息之間的關聯關系構建元器件失效分析專家系統中的失效分析流程。本發明的元器件失效分析專家系統中失效分析流程構建方法及系統，滿足了在元器件失效分析專家系統中構建不同門類電子元器件失效分析流程的需求，使失效分析專家系統成為一種具有邏輯判斷功能、可輔助完成實際失效分析的電子手段。
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本發明涉及一種失效分析結構的制備方法及失效分析方法。失效分析結構的制備方法包括：提供待分析樣品，待分析樣品包括待分析芯片及承載基底，承載基底位于待分析芯片的正面；提供底板；將待分析樣品貼置于底板上，待分析芯片的背面朝向底板；形成防護層，防護層至少覆蓋待分析芯片的側壁；使用腐蝕液去除承載基底。本發明的失效分析結構的制備方法，在去除承載基底的過程中無需使用到離子刻蝕機等復雜設備，操作方便，且沒有氯氣等腐蝕性氣體的使用，不會對待分析芯片造成腐蝕破壞；并且通過形成防護層至少覆蓋待分析芯片的側壁，因此去除承載基底的過程中不會損傷芯片的側壁，進而不會破壞芯片的信息及定位圖案，以便后續對芯片進行信息確認。
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本公開實施例公開了一種失效分析樣品的制作方法。所述方法包括：提供待測管芯；其中，所述待測管芯包括相對設置的正面和背面，所述待測管芯的正面通過第一膠層與第一基板之間粘接；將所述待測管芯的背面通過第二膠層與第二基板固定連接；其中，所述第二膠層的固化溫度小于所述第一膠層的熔化溫度，所述第二膠層的熔化溫度大于所述第一膠層的熔化溫度；在所述待測管芯的背面粘接有所述第二基板后，分離所述第一基板和所述待測管芯。
一種漩渦式探針、探針測試裝置、探針卡系統及多晶片模塊的失效分析方法。漩渦式探針包括一針體、一連接部與一漩渦彈簧。針體的一端具有一針尖。漩渦彈簧連接針體與連接部。漩渦彈簧包含一圈以上的旋繞體，這些旋繞體彼此共平面，且這些旋繞體的軸心與針體的長軸方向正交。故，通過上述架構，漩渦式探針不致于導電接點上橫向滑移，降低滑出導電接點的范圍的機會，以維持探針與導電接點之間的電接品質及測試性能，以及縮小測試變數。
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本發明提供一種失效分析樣品的制備方法及失效分析樣品，制備方法包括如下步驟：提供待分析的堆疊封裝體，堆疊封裝體中設置有多個堆疊的裸片，每一裸片具有設置焊墊的正面及與正面相對的背面，裸片的背面與其相鄰的裸片的正面接觸，所述裸片的焊墊與其相鄰的裸片的焊墊電連接；去除目標裸片背面的其他裸片，至暴露出與所述目標裸片相鄰的裸片的焊墊時停止；將暴露的焊墊電學引出，形成用于失效分析的樣品。本發明優點是，對目標裸片背面進行去除操作，且利用非目標裸片焊墊作為電連接處，從而避免對目標裸片具有電路器件的正面進行去除操作，保護了正面的電路器件，能夠制備出完整無損傷的目標裸片，大大提高了制樣成功率，大大降低了制樣難度。
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本發明涉及一種用于超級電容器失效分析的數據庫及超級電容器的失效分析方法。所述用于超級電容器失效分析的數據庫包括：（1）基于大量數據概括的由N個超級電容器組成電容器組中失效幾率和失效原因之間的一一對應關系，N≥100；（2）超級電容器在不同使用工況下建立的性能與循環次數或性能和使用時間之間的第一函數關系；（3）超級電容器在不同荷電狀態或/和不同存儲時間下與其外在表觀之間的第二函數關系。
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基于熱成像技術的半導體雪崩耐量失效分析的測試方法及裝置，本發明主要包括在搭建的測試系統中，開啟待測功率器件和功率開關管，電感開始續流，當電感中的電流達到雪崩電流峰值Iav后，關斷待測功率器件和功率開關管，電感放電，待測功率器件發生雪崩，在待測功率器件被擊穿前開啟短路功率器件，待測功率器件被短路并停止雪崩，電感能量通過短路功率器件泄放，此后，重復本操作，使待測器件持續發生雪崩，通過對器件雪崩時間的限制，使得器件在在不損壞的情況下多次進行雪崩過程，在此過程中我們可以通過熱成像技術觀測器件雪崩過程中發熱點位置的變化情況。
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2025年07月23日 ~ 26日 
2025年07月24日 ~ 26日 
2025年07月24日 ~ 26日 
2025年07月24日 ~ 26日 
2025年08月01日 ~ 03日 
