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本發明公開了一種降低電子束熔煉多晶硅能耗的裝置和方法，屬于冶金領域，裝置包括水冷熔煉坩堝，所述水冷熔煉坩堝內壁底部設有10～50mm石墨襯底，所述石墨襯底上表面有SiC膜層；在熔煉坩堝與硅熔體之間增加石墨襯底，由于石墨材質的熱導率遠遠小于銅材質的熱導率，所以在熔煉過程中會減少熱量被水冷熔煉坩堝大量帶走而帶來的熱量損失，從而達到節能的目的；加入石墨襯底后，若保持電子槍功率不變，可使熔煉時間縮短1/5～1/2；加入石墨襯底后，若保持熔煉時間不變，可使熔煉功率降低1/4～1/2；形成的SiC膜層可多次使用。
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本實用新型涉及冶金熔煉技術，具體涉及硅粉廢料的回收熔煉設備。提出提出了一種金剛線切割硅粉的連續熔煉設備，包括熔煉爐、電極及供電控制系統，熔煉設備采用直流電弧熔煉方式，通過中空電極通氬氣的方法來提高熔煉效率和減少硅粉氧化，采用底部感應連續出料系統，出料料道部分設計有感應加熱線圈，可以隨時對料道進行加熱，實現連續放料功能。本實用新型具有結構合理、提純效果好、熔煉效率高等優點。
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本發明公開了一種電子束熔煉高純化制備Fe?W中間合金的方法，具有如下步驟：對水冷銅熔煉坩堝中的原料進行電子束熔煉，得到熔融合金；將此時水冷銅熔煉坩堝中部分熔融合金倒入水冷銅凝固坩堝中，待此時倒入水冷銅凝固坩堝中的熔融合金的量能夠滿足其凝固后的厚度要求時，減小束流功率使水冷銅熔煉坩堝中的熔融合金凝固，并保持紅熱狀態，以不流動為準，同時，水冷銅凝固坩堝中的熔融合金快速凝固；加大束流功率，使水冷銅熔煉坩堝中的紅熱狀態的合金完全熔化；重復上述步驟直至水冷銅熔煉坩堝中熔融合金耗盡，得到位于水冷銅凝固坩堝中的Fe?W中間合金。本發明可大幅度提高Fe?W中間合金鑄錠的冶金質量，同時降低了合金中雜質元素C、P的含量。
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本實用新型屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的設備,設備由爐門及真空爐壁構成真空設備,真空設備的內腔即為真空室;真空室底部固定安裝拉錠機構,拉錠機構上安裝熔煉坩鍋,熔煉坩鍋外套裝加熱裝置,真空室底部還安裝有水冷支撐桿,水冷銅坩堝安裝于水冷支撐桿之上,加料裝置固定安裝于水冷銅坩堝上方真空爐壁頂部內側,水冷銅坩堝通過導流裝置連通熔煉坩堝,電子槍安裝于真空爐壁頂部,放氣閥安裝于真空爐壁之上。本實用新型結構簡單,構思獨特,一臺設備綜合利用電子束熔煉除磷、渣濾熔煉除硼及定向凝固除金屬技術去除多晶硅中的磷、硼和金屬雜質,結構緊湊,設備集成度高,提純效果好,生產效率高。
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本發明涉及冶金熔煉技術，具體涉及硅粉廢料的回收熔煉方法及設備。提出了一種金剛線切割硅粉的連續熔煉方法，采用直流電弧熔煉技術，通過通入氬氣提高主反應區的溫度，有利于二氧化硅與還原劑充分反應，且能降低填料過程中硅粉的氧化，通過底部感應出料的方式，進一步提高了熔煉過程的效率，實現了連續出料。本發明還提出了一種金剛線切割硅粉的連續熔煉設備，包括熔煉爐、電極及供電控制系統，具有結構合理、提純效果好、熔煉效率高等優點。
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本發明一種電子束梯度熔煉提純多晶硅的方法屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,涉及一種利用電子束熔煉技術去除多晶硅中磷和金屬雜質的方法。該方法采用改變電子束束流大小,產生能量大小不同分布,去除揮發性雜質磷的同時實現定向凝固效果。首先取磷和金屬雜質含量高的硅料洗凈、烘干后置于電子束熔煉爐中,然后以高束流電子束完全熔化硅料;此后逐漸降低電子束的束流,在小束流下保溫;關閉束流后冷卻,最后取出硅錠,切去硅錠的頂部得到磷和金屬雜質含量較低的硅錠。本發明去除磷和金屬雜質效果好,采用電子束除磷和定向凝固去除金屬的雙重作用,提高提純效率,減少工藝環節,技術穩定,周期短,節約能源,成本低。
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本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅領域。一種電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的方法,先將需提純的大塊高磷、高金屬多晶硅錠置于水冷升降托盤之上,后通過電子束熔化硅錠的頂部,熔化的硅熔液在由硅錠頂部、水冷銅套以及石墨套環形成的空間內形成淺熔池,熔煉一定時間后,去除雜質磷,此后升高水冷升降托盤,低磷硅熔液液面升高后通過導流口流入石英坩堝中,在保溫作用下向下拉錠,進行定向凝固生長,金屬雜質向硅錠頂部富集,凝固后切除硅錠頂部,去除金屬雜質。本發明綜合電子束淺熔池熔煉和定向凝固去除硅中的雜質磷和金屬。多晶硅的純度達到太陽能級硅的使用要求,節約能源,工藝簡單,生產效率高,適合批量生產。
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本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種淺熔池真空熔煉提純多晶硅的方法,在真空度為0.001Pa以下的高真空條件下,先在熔煉坩堝中通過感應加熱1430-1460℃熔化高純多晶硅料,形成高純硅熔液,并使其保持液態,然后升溫使硅熔液溫度達到1500-1600℃;高磷、高金屬硅棒連續緩慢的加入硅熔液之中,雜質磷在淺層熔池中不斷蒸發而得到去除,待高磷、高金屬硅棒完全熔入熔池后,感應加熱使熔煉坩堝中液態在1450-1500℃溫度下保持一段時間,進行定向凝固,切去硅錠頂部金屬雜質含量較高的多晶硅即可。本發明綜合高溫、高真空大面積淺熔池熔煉和定向凝固的技術,其提純效果好,操作簡單,節約能源,成本低,生產效率高,適合批量生產。
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本發明屬于冶金法提純多晶硅領域。一種真空感應熔煉去除硅粉中磷及金屬雜質的方法,首先,在高真空狀態下,利用感應加熱方式熔煉硅粉,去除多晶硅中的磷雜質,然后進行拉錠,利用定向凝固技術將硅粉中的金屬雜質去除。本發明方法簡單,同時應用真空感應熔煉和定向凝固技術來去除多晶硅中的磷及金屬雜質,實現了硅粉的熔煉,除雜效果良好,去除效率高,有效地利用了感應線圈加熱溫度高的特點,方法簡單易行,集成了除磷和除金屬的雙重效果,產量大,適合大規模生產工業生產,提純效果穩定。
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本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術將多晶硅中的雜質磷和硼去除的方法。該方法使用兩把電子槍發射電子束分別對多晶硅進行熔煉,同時采用雙重工藝去除多晶硅中的磷和硼,首先去除多晶硅中雜質磷,將低磷的多晶硅進一步熔煉蒸發除硼,收集蒸發到沉積板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內腔即為真空室,真空室由左右兩個腔組成,中間由隔離板分割。本發明有效提高了多晶硅的純度,達到了太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,技術穩定,效率高。
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本發明一種多晶硅熔煉的復合式加熱方法及裝置屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用感應線圈和石墨加熱器復合加熱的方式熔煉多晶硅的方法及裝置。本方法同時采用感應加熱和輻射加熱兩種方式對加熱區進行復合式加熱,使硅料熔化并進行熔煉,通過拉錠裝置的運動使熔體脫離加熱區,實現定向凝固。該裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內腔即為真空室,真空室內裝有進行感應加熱的感應線圈和進行輻射加熱的石墨加熱器。本發明有效地利用了感應加熱的高效性和輻射加熱的穩定性,保證了熔煉過程的穩定,減小了能耗,提高了加熱效率,且該方法簡單易行,適合大規模工業生產。
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本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束分次熔煉提純多晶硅的方法,首先備料:將洗凈烘干后的硅料置于電子束熔煉爐中;再預處理:對坩鍋水冷、電子槍預熱;最后提純:采用以200-300mA的小束流電子束熔化并熔煉一段時間,然后降低束流為零,待硅錠完全變暗,硅蒸氣回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔煉多晶硅一段時間后停止束流,重復小束流熔煉和停止束流的操作多次,最后冷卻凝固即可得到磷含量很低的多晶硅錠。本發明的顯著效果是采用了電子束分次熔煉的技術,一方面降低硅的蒸發損失量,此方法提純效果好,技術穩定,工藝簡單,節能降耗,周期短,生產效率高。
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本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束高效、連續熔煉提純多晶硅的方法,先通過電子束在坩堝中形成穩定的高純硅熔池,然后將需提純硅粉通過進料真空閘室連續落入熔池,快速熔化后熔煉,從而去除硅粉中的雜質磷,得到的低磷硅液周期性地從坩堝中溢出,在水冷傾斜銅槽中形成硅塊,并落入收集筒中冷卻,最后通過出料真空閘室連續出料,完成連續提純多晶硅的工藝過程。本發明采取連續加料和連續出料的熔煉方式,采用電子束熔煉多晶硅可去除飽和蒸汽壓高的揮發性雜質磷,達到高效、連續熔煉除雜的目的,純度達到了太陽能級硅的使用要求,技術穩定,能耗小,成本低,生產效率高,適合大規模工業化生產。
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本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法,加熱在熔煉坩堝中的造渣劑,并使其保持液態,同時通過另一小坩堝中熔化高硼、高金屬的多晶硅料形成多晶硅熔液;將多晶硅熔液連續導入并分散于液態造渣劑中,熔煉反應去除雜質硼,待熔煉坩堝中液體裝滿時,停止加入多晶硅熔液,加熱使熔煉坩堝中保持液態,熔煉后進行定向凝固,切去硅錠頂部雜質含量較高的多晶硅及廢渣,即可得到硼和金屬雜質含量較低的多晶硅錠。綜合渣濾熔煉和定向凝固的技術去除多晶硅中的雜質硼和金屬,有效提高了多晶硅的純度,達到了太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,技術穩定,工藝簡單,節約能源,成本低,生產效率高。
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本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束造渣熔煉去除多晶硅中雜質硼的方法,將洗凈后的多晶硅料及造渣劑均勻混合形成混合料;再預處理:將混合料放入電子束熔煉爐內的熔煉坩堝中,對熔煉坩堝進行坩堝水冷,預熱電子槍;采用小束流電子束轟擊混合料,混合料熔化后增大電子束至250-500mA進行熔煉,雜質硼在熔煉過程中與堿性造渣劑反應生成氣體揮發而去除,冷卻凝固得到低硼的多晶硅錠。本發明采用了電子束造渣熔煉的技術,結合了造渣除硼和電子束除去揮發性雜質的特點,工藝更加簡單,有效將電子束與造渣工藝結合,工藝條件溫和易于操作,生產周期短,節能降耗,提純效果好,技術穩定,生產效率高。
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本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的方法,在熔煉坩堝中加熱熔化造渣劑形成造渣劑熔液,并保持其液態,同時通過加料裝置向水冷銅坩堝中連續加入高磷、高硼和高金屬的多晶硅料,硅料在電子束轟擊下熔化成硅熔液,并熔煉去除雜質磷;除磷后的低磷硅熔液導流進入到造渣劑熔液之中,在熔入的過程中,硅熔液中的雜質硼與造渣劑反應去除雜質硼,加滿料后將熔煉坩堝中的熔液加熱保持液態熔煉3-10分鐘,定向凝固,切去硅錠頂部廢渣及金屬含量較高的硅塊即可。本發明綜合利用電子束熔煉除磷、渣濾熔煉除硼及定向凝固除金屬的技術去除多晶硅中的磷、硼和金屬雜質,提純效果好,生產效率高,適合批量生產。
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本發明涉及到一種粉礦懸浮磁化焙燒粉體急冷降溫工藝余熱鍋爐，主要包括前置蒸發器、鎖氣器Ⅰ、懸浮床蒸發器、旋風分離器、鎖氣器Ⅱ、流化床換熱器、流化風裝置Ⅱ、汽包、除氧器、加藥裝置和排污系統。冶金工藝中粉礦懸浮磁化焙燒粉體通過前置蒸發器、懸浮床蒸發器及流化床換熱器三段式降溫工藝有效控制粉的降溫過程和實現粉體不失磁的降溫工藝。不僅能夠有效利用粉體中的余熱，降低企業生產能耗和生產成本，而且主要滿足冶金選礦工藝要求和節能、降耗，具有可觀的經濟價值和社會效益。
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本實用新型公開了一種帶有清理除渣機構的火法冶金設備，包括清理除渣裝置本體，清理除渣裝置本體包括移動環以及除渣刀環，移動環包括環形卡槽、滑動塊以及限位孔，環形卡槽開設在移動環的頂部板面上，滑動塊連接在移動環的外壁上，滑動塊的數量不少于四個，且滑動塊包括滾動槽以及滾珠，滾動槽開設在滑動塊的前后兩個板面上，每個板面上的滾動槽的數量不少于三個，且滾動槽的內部設置有滾珠，滾珠的表面與滾動槽的底面接觸，限位孔開設在移動環的內壁上，將刀座設置成雙層刀環結構，相較于傳統的刀環，雙層刀環結構不僅對冶金爐的內壁表面進行清理，而且對滑動塊的移動軌道進行清理。
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不銹鋼相對于普碳鋼，機械性能更好，軋制變形抗力大。想要軋出合格的板帶相比于普碳鋼難度大一些。軋制普碳鋼選擇四輥軋機或者六輥軋機，軋制不銹鋼選擇多輥軋機。由于多輥軋機自身特點，為了大的軋制壓下量等因素，工作輥直徑很小，受空間限制，工作輥沒有軸承座，只有一根光輥，輥身靠周邊輥系支撐。其軸向固定不能像普通四六輥軋機那樣鎖住工作輥軸承座即可。既需要軸向固定工作輥，又需要承受工作輥徑向旋轉，所以開發一種新型工作輥軸向固定裝置非常有必要。
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本發明鋼渣輥式破碎風淬冷卻干法處理裝置及其工作方法，涉及冶金技術領域，尤其涉及液態與固態高溫鋼渣輥式破碎風淬冷卻干法處理裝置及其工作方法。
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本發明旋轉式上升管石墨清掃裝置及其使用方法，涉及冶金焦化技術領域，尤其涉及應用在頂裝焦爐裝煤車和搗固焦爐導煙車上的旋轉式上升管石墨清掃裝置。
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本發明提供了永磁直驅混鐵車及其控制方法，用于實現混鐵車自帶動力行駛，提高混鐵車的運用效率。
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本發明的目的是提供一種自動上料系統及使用方法，能夠將開袋卸料時產生的粉塵收集回收，整個過程均在負壓下進行，避免了對周圍環境造成污染，改善了工人工作環境，避免卸料時噸袋的碎屑混入物料內污染原料，減少原料浪費，減輕工人的勞動強度，提高上料效率。
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本發明焦化除塵用焦油處理系統，涉及冶金焦化環保技術領域，具體而言，尤其涉及一種焦化除塵用的焦油處理系統。
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2025年07月24日 ~ 26日 
