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降低電子束熔煉多晶硅能耗的裝置與方法

876   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 14:32:44
本發明公開了一種降低電子束熔煉多晶硅能耗的裝置和方法,屬于冶金領域,裝置包括水冷熔煉坩堝,所述水冷熔煉坩堝內壁底部設有10~50mm石墨襯底,所述石墨襯底上表面有SiC膜層;在熔煉坩堝與硅熔體之間增加石墨襯底,由于石墨材質的熱導率遠遠小于銅材質的熱導率,所以在熔煉過程中會減少熱量被水冷熔煉坩堝大量帶走而帶來的熱量損失,從而達到節能的目的;加入石墨襯底后,若保持電子槍功率不變,可使熔煉時間縮短1/5~1/2;加入石墨襯底后,若保持熔煉時間不變,可使熔煉功率降低1/4~1/2;形成的SiC膜層可多次使用。
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