1.本發明涉及半導體材料技術領域，尤其是涉及一種碳化硅晶片的表面處理方法。
背景技術：
2.碳化硅具有寬的禁帶寬度，高熱導率以及高的擊穿電壓，使得其在高頻、高功率、抗輻射、極端條件下工作的器件有廣泛應用。是一種極具潛力的半導體材料。
3.高質量的碳化硅晶片表面對制造高質量的外延片至關重要，進而決定半導體器件的性能。碳化硅單晶的莫氏為9.2，自然界中僅次于金剛石，對其進行物理加工難度非常高；而且碳化硅具有高的化學穩定性，如耐酸堿、耐氧化能力，這大大增加了化學機械拋光(cmp)和清洗過程中去除表面顆粒和金屬的難度。
4.鑒于碳化硅材料的加工難度，目前常用的碳化硅晶片加工和清洗方法主要是雙面或單面研磨、拋光、化學機械拋光和標準rca清洗，存在的主要問題是：加工晶片的翹曲度(warp)、彎曲度(bow)、面型(ttv和ltv)較差，表面顆粒和金屬污染物無法很好的去除；對于前道切割工序產生的較大的變形沒有修復能力；加工步驟繁瑣，自動化程度低下，晶片表面質量和穩定性難以保證。晶片表面的上述缺陷會在外延生長和器件制備的過程中放大，導致芯片良率大大降低，是影響芯片良率的首要因素。
技術實現要素：
5.有鑒于此，本發明要解決的技術問題在于提供一種碳化硅晶片的表面處理方法，本發明的處理方法處理的碳化硅晶片表面粗糙度低，平整度高，表面翹曲度低。
6.本發明提供了一種碳化硅晶片的表面處理方法，碳化硅晶片包括a表面和b表面；其表面處理方法包括：
7.a)將碳化硅a表面涂覆樹脂膜，得到平整的a表面的碳化硅；
8.b)將a表面固定，將b表面進行打磨；
9.c)去除碳化硅a表面的樹脂膜，固定打磨后的b面，將a面進行打磨，得到雙面打磨的碳化硅晶片；
10.d)將雙面打磨的碳化硅晶片拋光，即得。
11.優選的，步驟a)所述樹脂膜的硬度為50到70hrd；所述樹脂膜為填充彎曲的或凸凹起伏的碳化硅a表面至平整。
12.優選的，步驟b)所述打磨具體為采用樹脂砂輪或金屬結合劑砂輪中的一種或兩種進行打磨；所述砂輪的目數為500～50000目；
13.步驟c)所述打磨具體為采用樹脂砂輪或金屬結合劑砂輪中的一種或兩種進行打磨；所述砂輪的目數為500～50000目。
14.優選的，步驟b)所述固定具體為采用真空吸附的方法將碳化硅a面固定在吸附裝置上；吸附裝置帶動碳化硅晶片轉動，與砂輪相對
聲明：
“碳化硅晶片的表面處理方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：北京天科合達半導體股份有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
