本發明公開了一種SRAM電磁抗擾度的片上測量方法和系統,利用電磁干擾檢測模塊的信號的周期性不受封裝影響的特點,將內部電源Pad的干擾幅度轉換成周期性的信號,通過檢測該信號的頻率就可以表征電源電壓干擾幅度ARFI。并且通過功能測試模塊就可以產生SRAM讀、寫操作的測試向量,并且判斷SRAM受擾的失效情況。主要還會提供一個反饋信號,控制環形振蕩器的開關狀態,降低環形振蕩器的功耗,將SRAM不同工作狀態讀或者寫分開進行抗擾度測試,互不影響。
聲明:
“SRAM電磁抗擾度的片上測量方法和系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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