本發明涉及一種基于連續損傷力學的微米燒結銀芯片粘接層疲勞失效物理模型建模與驗證方法,包括以下步驟:步驟一:結合外界溫度載荷剖面和初始條件,分析微米銀粘接層幾何結構受力情況;步驟二:結合幾何結構的受力分析,假設損傷過程為近似單調加載的剪切力作用;步驟三:結合代表體積單元的微觀缺陷檢測圖像,建立燒結銀非線性損傷過程的內參量損傷變量;步驟四:基于連續損傷力學基本理論,構造包含損傷變量的損傷演化方程;步驟五:結合剪切強度測試結果確定失效閾值,代入試驗條件和缺陷數據確定模型中未知參數取值;步驟六:結合驗證試驗組測試數據,驗證模型預測結果的合理性。本發明涉及一種微米燒結銀芯片粘接層疲勞失效物理模型建模與驗證方法,主要基于連續損傷力學理論,進行微米燒結銀芯片粘接層的幾何尺寸分析,外載荷加載剖面和初始條件確定,應力應變場的模型推導,臨界失效閾值確定及最終的可靠性壽命預測,屬于元器件可靠性評價技術領域。
聲明:
“基于連續損傷力學的微米燒結銀芯片粘接層疲勞失效物理模型建模與驗證方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)