本發明公開了一種摻雜失效的分析方法,包括步驟:提供良品硅片;對良品硅片和待測樣品硅片進行處理直至露出襯底表面;將良品硅片和待測樣品硅片放置在底座上;在良品硅片和待測樣品硅片上選定測試圖形;設定進行SRP的條件;分別對良品硅片和待測樣品硅片上的測試圖形進行SRP并得到電阻率或載流子濃度的數據;對良品硅片和所述待測樣品硅片的電阻率或載流子濃度的數據進行比較,判斷待測樣品硅片的摻雜是否失效,估算待測樣品硅片的摻雜劑量失效大小。本發明能準確快速驗證摻雜相關的失效,以及確認摻雜雜質的差異程度,能大大節省芯片失效分析的時間和確保失效分析的準確性,為明確工藝原因及提升相關產品的良率發揮重大作用。
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