本申請公開了一種確定GaN cascode器件失效位置的測試分析方法,屬于半導體芯片的可靠性測試領域。技術要點是:對器件的柵極漏電水平Igss進行測量;對器件在關態低漏級電壓下的漏級漏電水平Idss@LV進行測量;對器件在關態高漏級電壓下的漏電水平Idss@HV進行測量;通過測試結果分析對照表可以確定器件內部的失效位置,同時明確器件失效的原理和模型。有益效果:本發明所述的確定GaN cascode器件失效位置的測試分析方法將傳統測試的繁瑣流程簡化為三步,且無需解封步驟,在保證測試分析結果準確性同時能快速準確地得出器件的失效位置和原理。
聲明:
“確定GaN cascode器件失效位置的測試分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)