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增強型半導體結構

894   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:58:56
本實用新型提供了一種增強型半導體結構,增強型半導體結構包括:自下而上分布的半導體襯底、異質結結構、帽層、第一鈍化層以及第二鈍化層;貫穿第一鈍化層與第二鈍化層的凹槽;以及至少位于凹槽的內壁的柵極絕緣層。在干法刻蝕第二鈍化層形成凹槽后,第一鈍化層可用于刻蝕終點檢測,避免過刻蝕。在第二鈍化層凹槽處暴露出的第一鈍化層,可通過濕法刻蝕去除。濕法刻蝕去除第一鈍化層時,帽層具有極高的穩定性,所以濕法腐蝕去除第一鈍化層后,不會損傷帽層。無損傷的帽層能有效降低異質結結構的表面缺陷,以降低電子被缺陷捕獲的幾率,實現減弱電流崩塌效應以及降低動態導通電阻。
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