本發明涉及一種提高光電轉化性能的紅外焦平面探測器,包括位于芯片中央背光面的焦平面光敏元,與光敏元連接的n型金屬電極,環繞所有光敏元的p型半導體材料構成的公共電極,還包括遮光板,位于公共電極的迎光面,阻擋入射的紅外光照射到公共電極迎光面,使入射光從遮光板的孔隙中進入紅外焦平面探測器中。與現有技術相比,本發明在保持紅外焦平面模塊基本結構的情況下,只需要在紅外焦平面模塊外增加一層遮光板,因此具有簡單、方便、對器件無損傷、實用性。
聲明:
“提高光電轉化性能的紅外焦平面探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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