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銻-鈰修飾的二硫化鉬/氧化銦四元氣敏材料及其制備方法

770   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:57:00
本發明涉及一種銻?鈰修飾二硫化鉬/氧化銦氣敏材料及其制備方法,屬于傳感器氣敏材料制備領域。所述氣敏材料由銻元素、鈰元素、二硫化鉬、氧化銦構成,氧化銦顆粒附著在二硫化鉬片層表面構成MoS2/In2O3納米復合體,銻和鈰原子位于MoS2/In2O3納米復合體的晶格內;所述制備所述包括(1)水熱法合成MoS2/In2O3納米復合材料;(2)在保護氣氛下,將銻源、鈰源與MoS2/In2O3納米復合材料水熱反應、離心、干燥、煅燒,即得。本發明通過銻、鈰的引入有效降低了被測氣體的化學吸附的活化能,大大提高了氧化銦半導體氣敏材料的比表面積和導電性,增強了氣體分子與材料間的電荷轉移,得到了具有優異的氣敏材料。
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