本申請提供了一種含硅混陰離子非線性光學晶體,化學式為:Ba5Ga2SiO4S6,具有優良的二階非線性光學性質,即在紅外波段能夠實現相位匹配,具有寬的光學帶隙(如Eg=4.03eV),其粉末倍頻強度可達到商用材料AgGaS2的0.65倍,且其激光損傷閾值是AgGaS2晶體的17.5倍,很好地實現了大的二階倍頻系數和寬的光學帶隙的平衡,且制備方法簡潔,在激光頻率轉換、近紅外探針、光折變信息處理等高科技領域有著重要的應用價值,尤其是用于紅外探測器和紅外激光器。
聲明:
“含硅混陰離子非線性光學晶體及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)