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多晶硅SOI基板型光電耦合器、其集成電路及制備方法

1040   編輯：管理員   來源：中冶有色網  
2023-03-19 08:30:16
本發明公開了一種多晶硅SOI基板型光電耦合器，包括作為襯底硅的第一襯底、作為SiO2中間層的第一介質層和頂層多晶硅，頂層多晶硅通過低壓力化學氣相沉積法淀積在第一襯底上；光電耦合器包括制作在第一襯底中的硅光探測器、第一介質層以及制作在頂層多晶硅中的多晶硅光源。本發明還公開了上述光電耦合器的制作方法，并進一步公開了上述光電耦合器的集成電路及其制作方法。本發明的多晶硅光源與硅光探測器軸向排布，面積小、制造成本低，具有較高的光傳輸效率和集成度；本發明的光電耦合器可以與電路集成在同一個襯底上，多晶硅光源與硅光探測器軸向堆疊，進一步降低了制造成本，具有較高的集成度。本發明適用于光電耦合器的集成技術領域。
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