本發明公開了一種正硅酸鹽系正極材料包覆三元材料的制備方法。正硅酸鹽系正極材料化學組成通式為Li2MSiO4(M=Fe,Mn,Co,Ni中的至少一種),其包覆含量占正極材料本身質量分數的0.01~10%,包覆層厚度10?1000nm。本發明過程為:首先對三元材料表面殘余鋰含量及成分進行測定,接著根據包覆含量、分子摩爾比加入納米級鋰源、相應金屬M源、硅源等,流態化混合、壓片、燒結、制粉、過篩即可得到正硅酸鹽系正極材料包覆的三元正極材料。本發明為純干法過程,制備方法簡單易行,降低表面殘余鋰的同時能夠提高三元材料的抗過充及熱穩定性,提升材料本身的電性能,具有一定的工業化應用前景。
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