本發明公開了一種摻雜金剛石顆粒及其制備方法與應用。所述摻雜金剛石顆粒包括載體顆粒、包覆層,所述載體顆粒為含硼金剛石顆?;蚣兘饎偸w粒,所述包覆層為摻雜金剛石薄膜。本發明首創的以高溫高壓合成的單晶結構的含硼金剛石顆粒作為載體顆粒,在其表面生長多晶的摻雜金剛石薄膜,最終所得摻雜金剛石顆粒具有優異的導電性能,本發明的制備方法簡單可控,所用載體顆粒為己商業化的高溫高壓合成的單晶結構的金剛石顆粒作為載體顆粒,價格低廉,成本低。本發明的摻雜金剛石顆粒具有高的比表面積且對環境無毒理性、信噪比高的特點。本摻雜金剛石顆??蓮V泛應用于電化學分析領域、電化學水處理領域。
聲明:
“摻雜金剛石顆粒及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)