本發明公開了一種四葉草形天線的石墨烯光電探測器及制備方法。器件制備步驟是將化學氣相沉積生長的石墨烯轉移到有SiO2氧化層的Si襯底上,利用紫外光刻技術制作源、漏和頂柵電極,并利用氧刻、原子層沉積、濕法腐蝕等工藝,制備成具有四葉草形天線的石墨烯光電探測器。利用獨特的四葉草形天線結構,增強光的吸收并產生非對稱的耦合電場,從而顯著增強了探測器的源漏定向電流,大幅提高了器件的信噪比和探測能力。四葉草形結構的石墨烯光電探測器在太赫茲及微波頻段段均顯示了超高的探測率。本發明的優點是探測率高,響應快,功耗低和便于集成化。
聲明:
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