本發明公開了一種SnO2/ZnO納米復合材料及其制備方法,包括ZnO納米棒和在ZnO納米棒上生長的SnO2納米棒,所述的ZnO納米棒長度為8~20μm,直徑約為1μm,長徑比為8~20,SnO2納米棒在ZnO納米棒上均勻生長,SnO2納米棒的長度為600~1000nm,直徑為40~60nm,長徑比為10~25;通過水熱法制備纖鋅礦結構的ZnO單晶納米棒,然后在ZnO單晶納米棒上水熱生長金紅石結構的SnO2單晶納米棒,水熱制備過程中無需任何模板和催化劑,工藝簡單,產率高,且成本低廉,適合批量生產;在初級結構ZnO納米棒的非極性面上直接生長次級結構SnO2納米棒,所制備的納米復合材料形態均一、包覆緊密,可以作為雷達紅外兼容隱身材料、光催化、太陽能電池、氣敏傳感器和鋰離子電池負極材料。
聲明:
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