本發明涉及異質結制備技術領域,具體而言,涉及一種復合材料異質結的制備方法。該制備方法包括以下步驟:在襯底上鍍掩模,在掩模上甩預設厚度的HSQ Fox?系列電子束光刻膠,經曝光顯影后在掩模上形成光刻膠三維圖形。在掩模及光刻膠三維圖形上甩正性電子束光刻膠,經電子束曝光顯影后在掩模上形成凹槽,刻蝕除去凹槽中的掩模,除去正性電子束光刻膠。利用分子束外延技術在所述凹槽中的襯底上生長第一相材料,使光刻膠三維圖形相對第二相材料束流方向傾斜預設角度,使光刻膠三維圖形的投影部分遮擋部分第一相材料,在未遮擋部分原位生長第二相材料以形成異質結;第一相材料為半導體納米線。該方法能夠進行選區生長半導體納米線。
聲明:
“復合材料異質結的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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