本發明屬于光電子信息功能材料技術領域,具體涉及一種Ga摻雜ZnO透明導電薄膜的制備方法,包括如下步驟:稱取ZnO粉末和Ga2O3粉末,其中Ga占總粉末的摩爾百分含量為1~3%,將稱取的粉末經預燒結和燒結處理,制得Ga摻雜ZnO靶材;將襯底和制得的靶材裝入磁控濺射鍍膜機中,將濺射室抽真空,通入氬氣,控制工作壓強為0.1~0.5Pa;將襯底的溫度升至300~600℃,控制濺射功率為80~120W,進行鍍膜處理,制得Ga摻雜ZnO透明導電薄膜,本發明的制備方法可大面積規?;a、工藝簡單、成本低,制得的透明導電薄膜表面平整致密,粗糙度較小,電阻率低,透過率高,性能穩定,應用前景廣闊。
聲明:
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