本發明涉及一種制備硒化鎘納米帶的方法,屬于納米材料制備技術領域。本發明采用雙坩堝法,將靜電紡絲技術與硒化技術相結合,制備了CdSe納米帶。本發明包括三個步驟:(1)配制紡絲液;(2)制備CdO納米帶,采用靜電紡絲技術制備PVP/Cd(NO3)2復合納米帶,在空氣中進行熱處理得到CdO納米帶;(3)制備CdSe納米帶。采用雙坩堝法,在氬氣保護下用硒粉對CdO納米帶進行硒化處理,得到CdSe納米帶,具有良好的晶型,寬度為2.1560±0.2014μm,厚度為618nm,長度大于50μm。硒化鎘納米帶是一種重要的功能材料。本發明的制備方法簡單易行,可以批量生產,具有廣闊的應用前景。
聲明:
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