本發明揭示了一種高深寬比高保形納米級負型結構的制備方法,本發明用旋涂的方法在提供的襯底上旋涂一層氫倍半硅氧烷(HSQ);利用電子束曝光技術對樣品進行曝光顯影得到預期的HSQ柱狀納米結構;利用磁控濺射鍍膜沉積技術在樣品上共形沉積一層功能材料薄膜;利用旋涂的方式在濺射處理后的樣品上旋涂一層平坦化層HSQ;然后把樣品置于熱板上低溫烘烤以去除平坦化材料中的溶劑;再對樣品用斜角離子束拋光設備以角度小于10°的夾角進行拋光處理直到HSQ柱子上表面的金屬材料全部去除;最后用濕法刻蝕將樣品用氫氟酸進行處理以去除HSQ柱子結構從而得到我們所需的高深寬比高保形的納米級負型結構。
聲明:
“高深寬比高保形納米級負型結構的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)