本發明公開了一種低閾值電壓有機二極管,該低閾值電壓有機二極管包括:下電極;形成于下電極之上的金屬氧化物插層;形成于金屬氧化物插層之上的有機功能材料層;形成于有機功能材料層之上的有機材料緩沖層;以及形成于有機材料緩沖層之上的上電極。本發明還公開了一種制備低閾值電壓有機二極管的方法。利用本發明,以金屬氧化物插層來調整下電極與有機材料層的接觸勢壘,從而達到調整有機二極管的閾值電壓的效果,有效地降低了有機二極管的閾值電壓。
聲明:
“低閾值電壓有機二極管及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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