本發明的磁阻效應元件具備:第一鐵磁性層;第二鐵磁性層;以及位于上述第一鐵磁性層和上述第二鐵磁性層之間的非磁性間隔層,上述第一鐵磁性層和上述第二鐵磁性層中的至少一層包含具有半惠斯勒型晶體結構的金屬化合物,上述金屬化合物包含功能材料和構成上述半惠斯勒型晶體結構的單位晶格的X原子、Y原子和Z原子,上述功能材料比上述X原子、上述Y原子和上述Z原子中的任一原子的原子序數都小。
聲明:
“磁阻效應元件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)