本發明涉及一種半導體器件及其制備方法,所述方法包括:提供半導體襯底;在所述半導體襯底上依次形成阻擋層、低K材料層以及掩膜疊層;圖案化所述阻擋層、低K材料層以及掩膜疊層,以形成溝槽,選用金屬材料填充所述溝槽;去除部分所述金屬材料,形成開口;在所述半導體襯底上沉積金屬鋁并進行氧化,以在所述開口中形成氧化鋁材料層。本發明中所述Al2O3通過“沉積金屬Al-氧化Al”的步驟形成,并經過多次循環所述步驟得到具有一定厚度的所述Al2O3材料層,所述沉積-熱氧化的方法不含有等離子電荷,從而避免了等離子體損傷效應。而且所述Al2O3材料層原位形成于所述金屬銅之上,還可以進一步提高該材料層上方的覆蓋層與金屬銅之間粘附性。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)