權利要求
1.親水非晶碳膜，其特征在于，所述親水非晶碳膜為含硅的類金剛石碳薄膜。
2.根據權利要求1所述的親水非晶碳膜，其特征在于：所述所述薄膜中的硅含量范圍為1.0at.％至2.5at.％。
3.根據權利要求1所述的親水非晶碳膜，其特征在于：所述薄膜表面粗糙度為10nm至20nm。
4.根據權利要求1所述的親水非晶碳膜，其特征在于：所述薄膜表面Si-O鍵占比范圍為30％至60％。
5.親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述親水非晶碳膜的制備方法包括以下步驟： (1)薄膜的形成：使用基板將硅原子摻入類金剛石薄膜中，形成摻硅類金剛石薄膜備用； (2)活化處理：采用等離子體或離子束對在上述薄膜表面進行活化激活處理，產生存在于膜表面的碳原子和硅原子的化學鍵。
6.根據權利要求5所述的親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中形成摻硅類金剛石薄膜的原料為苯氣體和硅烷混合。
7.根據權利要求5所述的親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中摻硅類金剛石薄膜的制備方法為等離子體化學氣相沉積、等離子體合成、濺射合成、自濾波電弧合成或離子束沉積中的任意一種或其任何組合。
8.根據權利要求5所述的親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中采用等離子體處理時腔室內的壓力范圍為0.1Pa至10Pa，偏置電壓范圍為-100V至-800V。 9.根據權利要求5所述的一種親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中采用離子束激活薄膜表面的時，腔室內的壓力為10 -7Pa-10Pa，電壓為100V-50kV。 10.根據權利要求5所述的一種親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中采用的等離子體、離子束分別為等離子氧和氧的離子束。
說明書
親水非晶碳膜及其制備方法
技術領域
本發明涉及金屬涂層材料制備技術，具體涉及親水非晶碳膜及其制備方法。
背景技術
由于類金剛石(DLC)薄膜具有高硬度、潤滑性、電阻和良好的耐磨性，表面光滑，并且可以在低溫下合成，因此它是一種用于各種工業領域的涂層材料。此外，DLC薄膜具有其表面的優異化學穩定性、優異的生物相容性和對血液的相容性，當其
聲明：
“親水非晶碳膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：浙江大學杭州國際科創中心
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2025年08月05日 ~ 07日 
