本發明公開了一種冶金級多晶硅生產過程中通過摻磷實現吸雜目的的方法,主要技術方案為:將摻磷后的冶金級多晶硅置于赤磷熔點以下溫度300~590℃退火0.5~5小時,使磷在冶金級多晶硅中分布均勻,然后將冶金級多晶硅置于800~1000℃退火0.5~20小時。該方法利用磷在高溫半導體內部的擴散,硅晶體中的硅-自間隙原子增多,為金屬雜質從替代位置移動到間隙位置提供條件,從而加快金屬雜質的擴散。最終,在退火過程中,使金屬雜質從位錯、晶界等晶體缺陷處釋放,并擴散到冶金級多晶硅表面而被捕獲,最終到達吸雜的目的。本發明提供的一種冶金硅磷吸雜方法,摻磷吸雜效果較好、工藝較簡單、成本較低,適合于工業化生產。
聲明:
“冶金級多晶硅摻磷吸雜的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)