本發明涉及一種采用圖形化金屬襯底的半導體激光芯片及其制備方法，解決現有半導體激光芯片采用砷化鎵材料作為芯片襯底時，芯片襯底產生的熱源熱量高，傳統散熱路徑在熱傳遞時存在熱阻大、散熱效率不佳的問題。本發明在原芯片襯底上開設刻蝕槽，在刻蝕槽內設置沉積金屬層替換部分砷化鎵襯底材料，而沉積金屬層內的金屬材料電阻低，導熱系數高，這種設計使芯片襯底整體的電阻值降低，熱源熱量減少，從而提升電光轉換效率；

作為重要的半導體材料，砷化鎵屬于Ⅲ~Ⅴ族化合物半導體，由其制成的半絕緣高阻材料的電阻率比硅、鍺高3個數量級以上，可用來制作集成電路襯底。寬禁帶(1.4eV)、高電子遷移率[8500cm2/(V·s)]、能帶結構為直接帶隙的特點決定了其在微電子器件研制中的主要地位。但在砷化鎵芯片的生產過程中，研磨、清洗等工序會產生含砷廢水，而砷是劇毒物質，會對人體和環境造成傷害，因此需對含砷廢水進行處理，達標后排放或回用。