一種鉭
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二氧化硅濺射靶材的制備方法
技術領域
1.本發明涉及靶材制備領域，具體涉及一種鉭
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二氧化硅濺射靶材的制備方法。
背景技術：
2.物理氣相沉積(physical vapour deposition，pvd)指的是，在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使材料源蒸發并使被蒸發物質與氣體都發生電離，然后通過電場的加速作用，使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上形成某種特殊功能的薄膜。pvd技術是半導體芯片制造業、太陽能行業、lcd制造業等多種行業的核心技術，主要方法有真空蒸鍍、電弧等離子體鍍、離子鍍膜、分子束外延和濺射鍍膜等。
3.濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，一般被稱為濺射靶材。
4.濺射靶材一般通過粉末冶金燒結成型工藝獲得，因為該工藝制備的濺射靶材具有獨特的化學組成和機械、物理性能，而這些性能是用傳統的熔鑄方法無法獲得的。粉末冶金燒結成型工藝分為熱壓燒結和熱等靜壓兩種方法，雖然利用熱等靜壓方法制得的濺射靶材可以實現較高的致密化且內部組織結構較為均勻，但是熱等靜壓具有能耗高、成本大的缺點。相比之下，熱壓燒結將粉末或壓坯在高溫下的單軸向壓制，產生激活擴散和蠕變現象，廣泛應用于固體材料的燒結以及異種金屬間的大面積焊接等領域。熱壓燒結的主要原理是在高溫下晶格與晶界擴散以及塑性流動，而且熱壓燒結后的材料的晶粒尺寸、晶粒分布等顯微組織一般也比較理想，更具有能耗低、成本小的優勢。
5.近年國內物理氣相沉積技術大大提升，pvd產業蓬勃發展，對高純度濺射靶材的需求量及種類大幅增長，現有技術往往分別利用鉭靶材和二氧化硅靶材來制備復合氧化物薄膜，例如cn112342506a公開了一種低應力低吸收氧化物薄膜的制備方法，通過采用雙離子束濺射沉積技術，以鉭靶和二氧化硅靶作為濺射靶材，通過選擇合適的雙離子束濺射制備工藝參數，可實現應力為
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120mpa、吸收損耗為8ppm的ta2o5薄膜和應力為
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80mpa、吸收損耗為4ppm的sio2薄膜的制備。然而，目前國內生產的高純鉭靶材以及二氧化碳靶材尚且存在純度低、密度低等缺點，無
聲明：
“鉭-二氧化硅濺射靶材的制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：寧波江豐電子材料股份有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
