1.本技術涉及復合材料技術領域，具體而言，涉及一種碳化硅銅基復合材料及其制備方法和原料配方。
背景技術：
2.碳化硅銅基復合材料既具有銅合金的優秀導熱性能，同時也具有碳化硅熱膨脹系數低、耐磨性好的優點?？蓱糜诤娇?、航天、能源、汽車等領域，如散熱器、半導體、電觸頭、自潤滑軸承、摩擦副等。與其他粉末冶金方法相比，采用注射成形的方法可以獲得更復雜的結構，同時更適合工業的批量化生產。
3.碳化硅增強銅基復合材料性能提升的難點在于，銅與碳化硅潤濕性差，界面結合強度低，且銅在800℃左右會與sic發生界面反應阻礙燒結。普遍提及的碳化硅粉末鍍銅或鉻等方法因成本過高，目前不具備量產可能。
技術實現要素：
4.本技術的內容部分用于以簡要的形式介紹構思，這些構思將在后面的具體實施方式部分被詳細描述。本技術的內容部分并不旨在標識要求保護的技術方案的關鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保護的技術方案的范圍。
5.本技術的一些實施例提出了一種碳化硅銅基復合材料及其制備方法和原料配方，來解決以上背景技術部分提到的技術問題。
6.作為本技術的第一方面，本技術的一些實施例提供了一種碳化硅銅基復合材料的制備方法，包括：將碳化硅顆粒、銅粉、鈦粉以及粘結劑進行混煉以得到混煉料塊；將所述混煉料塊投入至造粒機進行造粒以得到待注顆粒；將所述待注顆粒填加至注射機并向注射模具中進行注射以得到待脫生坯；將所述待脫生坯轉移至草酸爐進行脫脂處理以得到待燒生坯；將所述待燒生坯轉移至燒結爐進行燒結以得到最終產物；其中，所述碳化硅顆粒在混煉原料中的體積分數的取值范圍為3％至10％；所述銅粉在混煉原料中的體積分數的取值范圍為75至85％；所述鈦粉在混煉原料中的體積分數的取值范圍為0.8％至1.2％；所述粘結劑在混煉原料中的體積分數的取值范圍為12％至15％。
7.進一步的，所述銅粉為球形粉末且其中位徑的取值范圍為20μm至30μm。
8.進一步的，所述鈦粉為球形粉末且其中位徑的取值范圍為19μm至21μm；所述鈦粉的氧含量小于1800ppm。
9.進一步的，所述碳化硅顆粒的粒度取值范圍為250目至1000目。
10.進一步的，所述碳化硅顆粒為β晶型顆粒。
11.進一步的，所述粘結劑包含：聚甲醛pom、hdpe、pp、sebs、abs、eva、sa、wax以及bht抗氧化劑中一種或幾種。
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聲明：
“碳化硅銅基復合材料及其制備方法和原料配方與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：南京泉峰汽車精密技術股份有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
