一種用于高方阻topcon電池p+面的銀鋁漿及其制備方法
技術領域
1.本發明涉及電池電極漿料領域，具體涉及一種用于高方阻topcon電池p+面的銀鋁漿及其制備方法。
背景技術：
2.隧穿氧化層鈍化接觸太陽能電池(topcon)是一種使用超薄氧化層作為鈍化層結構的電池。topcon電池以n型硅基板為主，通過一層超薄的氧化層和一層摻雜硅薄層在電池硅基板的背面形成鈍化結構；topcon電池正面鈍化接觸的機理是：在電池片的燒結過程中，漿料中的玻璃體先軟化，腐蝕電池正面最外層沉積的氮化硅和氧化鋁，玻璃體的軟化點越低，活性越大，對氮化硅和氧化鋁的腐蝕性就越高，所形成的接觸也越好；腐蝕掉氮化硅和氧化鋁層以后，銀鋁漿中的鋁和銀與露出來的硅基底反應，形成銀鋁硅刺，此時鋁顆粒越大，活性越大，鋁顆粒的軟化點越低，流動性越好，所形成的銀鋁刺也越大，而銀鋁硅刺越大，雖可形成較好的接觸，但造成的金屬復合也越大；由此可見，若單純選用較低軟化點的玻璃體和大顆粒的鋁粉降低電池的接觸電阻率，會形成較大的鋁刺，對金屬復合造成很大的影響；因此，為了形成較低的金屬復合和良好的接觸，需要形成小而密集的銀鋁刺。
3.目前的topcon電池正面受到所使用漿料的影響，摻雜濃度均≥1019，方阻為80-120ω；普通的銀鋁漿在超過120ω方阻的topcon電池的p+面上無法實現良好的接觸，接觸電阻率一般＞5mω.cm2，使電池的串聯電阻rs相對較高；topcon電池正面接觸的摻雜濃度越低，方阻越大，接觸就越難；但是摻雜濃度低也會使電池正面金屬復合變小，對電池的開壓有增益，因此高方阻低摻雜的topcon電池會成為未來topcon電池的主流結構。
技術實現要素：
4.本發明的目的在于克服上述現有技術的不足而提供一種在高方阻topcon電池的p+面上有良好的接觸效果，且具有較低復合的銀鋁漿及其制備方法。
5.為實現上述目的，本發明采取的技術方案為：一種用于高方阻topcon電池p+面的銀鋁漿，包含以下重量百分比的組分：銀粉70-89％、納米銀線1-5％、鋁粉1-10％、鋁合金0.5-1％、玻璃粉1-8％、有機載體1-10％；所述玻璃粉中包含氧化銀，所述鋁合金為鋁鋅合金和鋁硼合金中的至少一種。
6.本發明選用納米銀線搭配銀粉作為銀鋁漿的組分，納米銀線除了具有優良的導電性之外，還因為其納米級別的尺寸效應而具
聲明：
“用于高方阻TOPcon電池P+面的銀鋁漿及其制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：無錫市儒興科技開發有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
