一種ito廢靶重制ito粉、高密度靶材及其制備方法技術領域1.本發明屬于ito靶材生產技術領域，具體涉及一種ito廢靶重制ito粉、高密度靶材及其制備方法。背景技術：2.ito靶材是一種銦錫復合氧化物陶瓷材料，基于該靶材制備的半導體薄膜具有高電子遷移率、高透光率和低生長溫度的優異特性，因此被廣泛使用，年用量已超過1000噸；但由于技術限制，目前ito旋轉靶和平面靶利用率分別為75％和35％，大量的殘靶和廢靶無法正常使用；由于銦是一種寶貴的稀缺資源，必須做好銦的循環利用工作。3.目前，針對廢靶的回收方法主要有三種。第一種是通過濕法回收，將銦錫分離，得到粗銦后再重新制備ito靶材，由于工序流程多，設備容易腐蝕，會產生廢水，導致回收成本高；第二種是在超高溫度條件下，將ito廢靶直接氣化，冷凝后得到細顆粒的ito粉末，cn102367519a利用等離子設備產生高溫電弧，在3000～6000℃的高溫作用下，得到平均粒徑《100nm的ito粉末；cn113387682a將靶材置于4000～5000℃的高溫條件下氣化，得到純度4n，比表面6-8cm2/g的ito粉；這種方法由于耗能大，設備昂貴以及生產時間長等原因，不利于大規模生產。第三種是通過擠壓、球磨、氣流破碎等物理破碎方式，將ito靶材直接粉碎后重新制備ito靶材，專利cn112079627a公開了一種由ito廢靶經過三級粉碎制粉并生產ito靶材的制備方法，得到粒徑小于200目的廢靶材粉末，經過成型燒結后，得到的靶材相對密度大于99.7％。專利cn113149611a公開了一種ito廢靶坯回收制備的ito粉末、靶材及其制備方法，將粉碎后的廢靶坯熱處理后，再進行球磨制漿，球磨30～60h后，得到顆粒粒徑d50＝50～200nm的ito漿料，燒結得到的靶材相對密度可達99.79％。cn111632730a通過18～24h的振動球磨，將粒徑小于10um的ito粉末處理成100～500nm的ito粉末；這種方法雖然簡單，但得到的ito粉末顆粒大小不均勻，破碎時間長，即使通過氣流破碎，仍然無法直接用于高密度靶材的制備，且氣流破碎產能低，不利于大規模廢靶處理。因此，有必要提供一種新的方案，解決ito靶材直接破碎時間過長和相對密度有待進一步提高的問題。技術實現要素：4.針對以上現有技術存在的缺點和不足之處，本發明的首要目的在于提供一種it
聲明：
“ITO廢靶重制ITO粉、高密度靶材及其制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：先導薄膜材料（廣東）有限公司
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2025年07月24日 ~ 26日 
