本發明涉及半導體互連材料導電散熱技術領域，特別涉及一種石墨烯包覆納米銅的方法。
背景技術：
石墨烯是一種碳原子按照蜂窩狀結構有序排布并相互連接形成的二維碳納米材料，可以看成是單原子層的石墨，其特殊的結構以及優異的物理性質使其成為研究熱點。理想的單層石墨烯具有高達97.7％的透光率和室溫下高達15000cm2/(v·s)的載流子遷移率，理論楊氏模量可達11000gpa，斷裂強度125gpa，熱導率達5000w/m·k，在新材料、電力、微電子等領域具有良好前景。
石墨烯具有優異的光學、電學、力學性能，在材料學、微納加工等方面具有重要的應用前景。石墨烯是已知強度最高的材料之一，同時還具有很好的韌性，當施加外力于石墨烯時，碳原子面會彎曲變形，使得碳原子不必重新排列來適應外力，從而保持結構穩定。這種穩定的晶格結構使石墨烯具有優秀的導熱性，可以在微電子的封裝互連中起到很好作用。另外，石墨烯中的電子在軌道中移動時，不會因晶格缺陷或引入外來原子而發生散射，故石墨烯包覆納米銅提高了納米銅的導電性、散熱性和機械強度。
石墨烯的制備方法大致分為固相法、氣相法和液相法。固相法主要是機械剝離法，即直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剝離下來，但這種方法所獲得的產物尺寸不易控制，無法可靠地制備出長度足夠的石墨烯，因此不能滿足工業化需求。液相法是獲得高質量石墨烯的有效方法之一，但其使用了有毒、易爆的危險化學品，不僅增加了廢液處理的成本，更會對石墨烯的應用帶來負面影響。氣相法是將一種或多種氣態或等離子態中生長石墨烯的一類方法，其中化學氣相沉積法(cvd)是以能量(熱能、射頻、激光等)激化氣體反應物使其產生化學反應，生成的石墨烯沉積在生長基體表面，形成致密、均勻、穩定的薄膜技術，這種方法可以制備出高質量、大面積的石墨烯，該反應可以通過控制碳源的加入量、氣體配比、生長溫度來控制生成石墨烯的層數和質量。
現有采用固態碳源的技術工藝和設備復雜、處理溫度高，因為納米銅表面能較高導致其易團聚，在固態碳源包覆納米銅時，造成包覆不完全、包覆厚度不一或者反應不徹底，固態碳源易殘留在納米銅顆粒表面，使其形成的石墨烯包覆納米銅質量差。
技術實現要素：
針對上述機械剝離法制備石墨烯中出現的尺寸和質量的問題，本發明提供一種石墨烯包覆納米銅的方法，利用化學氣相沉積法(cvd)，在低溫高壓下，以納米銅為生長基體，羥類氣
聲明：
“石墨烯包覆納米銅的方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：深圳第三代半導體研究院
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2025年08月05日 ~ 07日 
