本公開提供一種IGBT模塊壽命的統計方法、裝置、電子設備及存儲介質,所述方法包括獲取待測IGBT模塊的集電極與發射極之間的電壓值隨功率循環次數變化的變化曲線;以所述待測IGBT模塊內的所有鍵合點為子樣本,獲取所述變化曲線上每個電壓突變點對應的功率循環次數和鍵合點的總失效率;根據所述變化曲線上所有電壓突變點對應的功率循環次數和鍵合點的總失效率,得到鍵合點的總失效率與功率循環次數的關系式;根據鍵合點的總失效率與功率循環次數的關系式,獲得預設鍵合點失效率對應的功率循環次數,以得到所述待測IGBT模塊的循環壽命。該方法可以減少IGBT模塊樣本數量并節省大量的試驗時間,經濟成本和時間成本得到很好的控制。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)