本發明提出了一種獲得邊發射激光器芯片最優老化條件的方法及采用該條件篩選芯片的方法,用以解決通過點測試PI曲線的方法得到最大功率下的驅動電流與實際老化最大功率下驅動電流不相同的問題。包括以下步驟:芯片組Ⅰ測試不同老化溫度Ⅰ下所對應的飽和電流Io;將驅動電流Ⅰ、老化溫度Ⅱ和老化時間組合成老化條件矩陣,統計每組芯片的老化失效率;對完成老化的芯片組Ⅱ進行Htol測試,測試完成后統計Htol失效率;對比Htol失效率為0的芯片組Ⅱ的老化失效率,老化失效率最高的芯片組Ⅱ所對應的老化條件為芯片的最佳老化條件。本方案在飽和電流Io的選擇上更加精準,電流范圍上驗證的更加全面,最終得到的老化條件更加具有適用性。
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