本發明公開了一種利用對稱性雙向劃片的單臺面高壓可控硅芯片,包括N?型長基區正面的P型短基區與N+型發射區連接成一體,N?型長基區背面的背面P型短基區通過P型對通隔離環與正面P型短基區相連。制造方法:硅片檢驗、生長氧化膜、光刻隔離窗、隔離劃片、雙面注入鋁、隔離擴散、雙面注入硼、雙面注入鋁、P型短基區擴散、光刻發射區、發射區磷擴散、光刻鈍化槽、鈍化槽腐蝕、鈍化槽保護、光刻引線區、雙面蒸發電極、光刻反刻區、合金、測試、劃切。本發明解決了焊錫膏焊接時因溢料導致成品管的電壓失效問題;解決了因樹脂填充不完全出現成品管內部空氣擊穿問題;解決了因采用厚片而出現的不銜接,不受控等問題,提高了生產效率和良品率。
聲明:
“利用對稱性雙向劃片的單臺面高壓可控硅芯片和制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)