本發明提供一種可變電阻隨機存取存儲器,通過修復失效的存儲單元來抑制性能衰退。本發明的可變電阻隨機存取存儲器包括存儲器陣列、行選擇電路、列選擇電路、控制器、錯誤檢查校正電路、錯誤比特旗標暫存器,以及錯誤比特地址暫存器。存儲器陣列包括多個存儲單元。列選擇電路包括感測放大器以及寫入驅動/讀取偏壓電路。錯誤比特旗標暫存器于寫入操作存儲存在/不存在的錯誤比特。錯誤比特地址暫存器存儲錯誤比特的地址。當預定事件發生時,控制器修復錯誤比特。
聲明:
“可變電阻隨機存取存儲器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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