本發明提供了一種浮柵回刻的深度的測試方法,包括:提供襯底;在所述襯底上分別形成第一隔離層和第二隔離層;在所述第一隔離層上形成浮柵多晶硅,刻蝕浮柵多晶硅形成浮柵,所述浮柵呈條狀結構;在所述浮柵和所述第二隔離層上形成ONO層;在所述ONO層上沉積控制柵多晶硅,刻蝕控制柵多晶硅形成控制柵,所述控制柵呈條狀結構,所述浮柵和所述控制柵形成叉指結構;使用如下公式計算浮柵回刻的深度;在本發明浮柵回刻的深度的測試方法中,利用叉指結構的數目、叉指結構的長度和ONO厚度就可以在不切片的情況下獲得浮柵的回刻深度,減少存儲單元失效的幾率,提高芯片的良率,并且與現有工藝兼容,無需開發新制程,不需要額外的掩膜版。
聲明:
“浮柵回刻的深度的測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)