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半導體封裝測試結構及形成方法、半導體封裝結構

811   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 09:00:22
本發明公開了一種半導體封裝測試結構及封裝方法、半導體封裝結構,其中,半導體封裝測試結構位于晶圓的切割道區,所述晶圓的切割道區與晶圓的芯片區相鄰,且所述晶圓表面覆蓋有絕緣層,包括:位于所述絕緣層內并位于所述切割道區的至少三層測試金屬層;以及位于所述切割道區并電連接相鄰所述測試金屬層的所述測試連接層,相鄰層的所述測試連接層分別位于所述切割道區的相對兩側,以利于后續切片工藝時相鄰層的測試連接層分別位于不同的晶片。本發明的封裝測試結構晶片最頂層的測試金屬層無法與最底層的測試金屬層形成電連接,這樣后續封裝過程中即使焊線與測試鍵接觸,由于晶片內測試鍵本身的斷路也無法形成接地回路,因此不會發生短路失效。
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