合肥金星智控科技股份有限公司
宣傳

位置:中冶有色 >

有色技術頻道 >

> 失效分析技術

> pMOSFET器件負偏置溫度不穩定性壽命預測方法

pMOSFET器件負偏置溫度不穩定性壽命預測方法

1126   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 09:00:18
本發明公開了一種pMOSFET器件負偏置溫度不穩定性壽命預測方法,包括:S1:施加負偏置應力之前,測量pMOSFET器件的初始特性,得到初始器件參數;S2:對該器件的柵極施加應力條件,且漏極電壓為正常工作電壓,在預設的時間間隔內對該器件進行應力老化測試;S3:對該器件進行參數測試,得到與老化時間相關的器件參數,直至總體應力時間結束;S4:漏極電壓為正常工作電壓下,重復步驟S2和S3,進行不同應力條件測試,以器件參數退化到臨界點為準,得到相應應力條件下pMOSFET器件的失效時間;S5:利用不同應力條件下pMOSFET器件的失效時間,預測柵極電壓為正常工作電壓條件下的器件可靠性壽命,本發明的方法得到的器件失效時間比常規方法更短,因此更能反映pMOSFET器件的NBTI壽命。
登錄解鎖全文
聲明:
“pMOSFET器件負偏置溫度不穩定性壽命預測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
分享 0
         
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
標簽:
失效分析
全國熱門有色金屬技術推薦
展開更多 +

 

中冶有色技術平臺

最新更新技術

報名參會
更多+

報告下載

赤泥綜合利用研究報告2025
推廣

熱門技術
更多+

衡水宏運壓濾機有限公司
宣傳
環磨科技控股(集團)有限公司
宣傳

發布

在線客服

公眾號

電話

頂部
咨詢電話:
010-88793500-807
專利人/作者信息登記
在线精品视频播放|无码 有码 国产18p|宅男精品一区在线观看|伊人色综合久久天天人手人婷|亚洲熟肥妇女BBXX