本發明公開了一種晶圓失效的分析方法及系統,所述晶圓失效的分析方法包括:分析芯片良率數據,獲取所述晶圓的失效區域;分析每個所述晶圓上所述失效區域的失效情況,獲取每個所述晶圓的晶圓區域良率;實現所述芯片良率數據、所述線上測試數據和所述電性測試數據坐標的統一;在坐標統一的情況下獲得選定區域中每個失效區塊的權重;根據所述權重獲取每個所述線上測試數據和所述電性測試數據的區域測量值;將所述區域測量值與所述晶圓區域良率做相關性分析,獲取所述晶圓的所述失效區塊的影響因素。通過本發明提供的一種晶圓失效的分析方法及系統,可提高分析結果的準確性。
聲明:
“晶圓失效的分析方法及系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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