本發明公開了一種基于FinFET制造工藝的硅納米線細胞傳感器。該細胞傳感器采用CMOS兼容的“自上而下”形成的納米線結構,包括:在SO1襯底上的通過FinFET制造工藝形成的Si納米線、通過光刻、磁控濺射和剝離工藝制備的金電極;在該細胞傳感器的表面具有通過原子層沉積法形成的高k柵介質層。本發明的細胞傳感器能夠對活體細胞進行快速、準確、無損和高靈敏度的檢測,而且該細胞傳感器具有微型化、可集成、制作成本低和可循環利用的等優點。
聲明:
“基于FinFET制造工藝的硅納米線細胞傳感器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)