本發明公開了一種具有晶體結構檢測及原位修復功能的裝置,其采用連續激光對半導體薄膜材料的散射光譜進行激發和采集,能夠快速、無損地判斷半薄膜材料整體及局部區域的晶體質量,然后通過皮秒、飛秒等超短脈沖高能激光束對半導體薄膜材料中晶體質量較差的區域進行輻射,從而激發薄膜材料相應區域中的原子發生重構,最終實現對半導體薄膜材料檢測區域晶體結構的原位修復?;诔堂}沖激光作用時間短、熱影響范圍小、能量密度高的特點,結合氣氛及溫壓條件的控制,該裝置能夠快速且有針對性地實現大尺寸半導體薄膜材料表面晶格損傷的修復,提高其晶體質量,特別適用于摻雜半導體薄膜材料,能夠有效提高其均勻性和晶體質量,優化薄膜的工藝性能。
聲明:
“具有晶體結構檢測及原位修復功能的裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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