本實用新型提供了一種III族氮化物襯底。所提供的襯底的III族元素面至少存在一個橫截面為V型的溝槽,所述溝槽的深度范圍是0.3nm-50nm,寬度范圍是10nm-500nm。本實用新型的優點在于,只去除晶格損傷而不特別在意是否去除劃痕,測試結果表明,與現有技術中采用無劃痕襯底相比,所獲得的外延層質量相同。因此,本實用新型摒棄了外延襯底一定要無劃痕的技術偏見,提供了有劃痕的襯底用于外延生長,節省了化學機械拋光帶來的工藝成本。
聲明:
“III族氮化物襯底” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)