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半導體器件的制備工藝

927   編輯：管理員   來源：中冶有色網  
2023-03-19 08:57:04
本發明提供一種半導體器件的制備工藝，通過采用化學下游刻蝕工藝在濕法刻蝕之前先對先前形成的溝槽進行表面進行平滑處理，從而使得在后續濕法刻蝕工藝中能夠較好地控制溝槽的形貌，并且通過在濕法刻蝕之后對溝槽的參數進行測量，從而基于這些參進一步優化刻蝕工藝中的工藝條件，使得能夠更為精確地控制刻蝕之后形成的源漏溝槽的形貌和尺寸。
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“半導體器件的制備工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
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