本發明涉及一種半導體氮化碳薄膜的制備及轉移方法,以三聚氰胺作為前驅體,通過化學氣相沉積工藝,在多種基底材料表面制備半導體氮化碳薄膜或氮化碳/碳復合薄膜,其制備工藝簡單,原料成本低,制備的氮化碳薄膜容易轉移到任意基底材料表面;所制備的薄膜連續性好,厚度均勻,在光電探測器中顯示出極快的響應速度,在電催化析氫反應中顯示出較高催化活性;此外,這種氮化碳薄膜可用于構建柔性半導體器件(如發光二極管,太陽能電池),儲能器件(如鋰離子電池,鈉離子電池,燃料電池)和催化電極等。
聲明:
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