本發明涉及一種脈沖激光沉積制備片狀納米氧化鈷陣列電極材料的方法及其應用。以脈沖激光沉積法制得的Co、Al雙金屬氧化物薄膜為前驅物,將其在3MNaOH溶液中充分腐蝕出去氧化鋁,即可得到片狀納米氧化鈷陣列薄膜。本發明電化學性能測試結果表明此薄膜電極具有較高的比電容,極佳的倍率特性和優異的循環穩定性,在超級電容器電極材料方面具有良好的應用前景。
聲明:
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