本發明涉及Mn27Si47-Si異質結構納米線陣列和Mn27Si47一維納米結構陣列的制備方法。本發明以化學刻蝕方法制備出的硅納米線陣列作為硅源,以MnCl2為Mn源,通過原位反應得到Mn27Si47-Si異質結構納米線陣列或Mn27Si47一維納米線陣列。本發明的制備方法簡單,得到的Si-Mn27Si47異質結構納米線陣列中的Mn27Si47和Mn27Si47一維納米線均為單晶結構,納米線的直徑都為100~300nm,長度都為20μm。本發明制備的Mn27Si47-Si異質結構納米線陣列和Mn27Si47一維納米線陣列在基于Si納米線的紅外探測器、太陽能光伏器件等方面具有巨大的潛在應用價值。
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